[发明专利]一种 Tm、Ho掺杂LaVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法

权利要求书

1.一种 Tm、Ho掺杂LaVO₄发光材料，其特征在于所述的发光材料的分子式可表示为 Tm_yHo_zLa_1-y-zVO₄，所述y、z的取值范围为：0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1。

2.一种如权利要求1所述的Tm_yHo_zLa_1-y-zVO₄熔体法晶体生长方法，其特征在于包括以下步骤：

(1) 采用Tm₂O₃、Ho₂O₃、La₂O₃、V₂O₅作为原料，按如下化合式进行配料，将其充分混合均匀后，压制，烧结：所述烧结温度为800-1100℃，烧结时间为10-96小时，得生长晶体所需的多晶原料：

所述的化合式为：yTm₂O₃＋zHo₂O₃+(1-y-z)Lai₂O₃+V₂O₅                                               2Tm_yHo_zLa_1-y-zVO₄

 (2)把上述得到的多晶原料放入生长坩埚内，通过加热并充分熔化，获得晶体生长初始熔体；

（3）采用熔体法晶体生长法进行生长，获得Tm_yHo_zLa_1-y-zVO₄ 单晶。

3.根据权利要求2所述的一种Tm_yHo_zLa_1-y-zVO₄发光材料的熔体法晶体生长方法，其特征在于，不采用籽晶定向生长，或者采用籽晶定向生长；对于采用籽晶定向生长，籽晶为Tm_yHo_zLa_1-y-zVO₄或LaVO₄单晶，籽晶方向为晶体的<100>、<010>或<001>方向，以及其它任意方向。

4.根据权利要求2所述的一种Tm_yHo_zLa_1-y-zVO₄熔体法晶体生长方法，其特征在于，所述配料中，所用原料Tm₂O₃、Ho₂O₃、La₂O₃、V₂O₅，可采用相应的 Tm、Ho、La、V的其它化合物代替，原料合成方法包括高温固相反应、液相合成、气相合成方法，但需满足能通过化学反应能最终形成化合物 Tm_yHo_zLa_1 -y-zVO₄这一条件。

5.根据权利要求2所述的一种Tm_yHo_zLa_1-y-zVO₄的熔体法晶体生长方法，其特征在于，由于晶体生长过程中的存在组分分凝效应，设所述Tm_yHo_zLa_1-y-zVO₄晶体中某种元素的分凝系数为k，k＝0.01-1，则当所述的生长步骤中 Tm、Ho、La、V的化合式中该元素的化合物的质量为W时，则在配料中应调整为W/k。