[发明专利]一种 Tm、Ho掺杂LaVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法

说明书

技术领域

   本发明涉及发光材料和晶体生长领域， Tm、Ho掺杂的钒酸镧Tm_yHo_zLa_1 -y-zVO₄，以及它们的熔体法晶体生长方法。

背景技术

随着LD泵浦技术的发展，Tm,Ho双掺成为2 μm波段激光晶体主要的掺杂方式，其中Tm,Ho:YAG是目前最常用的晶体之一。目前该晶体虽然已经获得了瓦级的能量输出，但效率低下，这也成为限制其更广泛应用的瓶颈。因而，探索性能优良的新型Tm,Ho掺杂激光晶体是目前的重要问题。LaVO₄具有稳定的化学特性和优良的物理性能，TmyHozLa1-y-zVO4有良好的发光性能，因而，Tm,Ho:LaVO有望成为性能优良的新型2μm波段激光晶体。

发明内容

本发明的目的是提供稀土钒酸盐Tm_yHo_zLa_1 -y-zVO₄发光材料及其熔体法晶体生长方法，获得性能优良的发光材料，有望用于显示和激光技术领域。

本发明是通过以下技术方案实现的：

一种 Tm、Ho掺杂LaVO₄发光材料，所述的发光材料的分子式可表示为 Tm_yHo_zLa_1-y-zVO₄，所述y、z的取值范围为：0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1。

一种Tm_yHo_zLa_1-y-zVO₄熔体法晶体生长方法，包括以下步骤：

(1) 采用Tm₂O₃、Ho₂O₃、La₂O₃、V₂O₅作为原料，按如下化合式进行配料，将其充分混合均匀后，压制，烧结，所述烧结温度为800-1100℃，烧结时间为10-96小时，得生长晶体所需的多晶原料：

所述的化合式为：yTm₂O₃＋zHo₂O₃+(1-y-z)Lai₂O₃+V₂O₅                                               2Tm_yHo_zLa_1-y-zVO₄

 (2)把上述得到的多晶原料放入生长坩埚内，通过加热并充分熔化，获得晶体生长初始熔体；

（3）采用熔体法晶体生长法进行生长，获得Tm_yHo_zLa_1-y-zVO₄ 单晶。

一种Tm_yHo_zLa_1-y-zVO₄发光材料的熔体法晶体生长方法，不采用籽晶定向生长，或者采用籽晶定向生长；对于采用籽晶定向生长，籽晶为Tm_yHo_zLa_1-y-zVO₄或LaVO₄单晶，籽晶方向为晶体的<100>、<010>或<001>方向，以及其它任意方向。