[发明专利]多芯片封装及其制造方法

权利要求书

1. 一种多芯片封装，包括：

容纳在第一外壳中的第一芯片；

容纳在第二外壳中的第二芯片，其中第一外壳和第二外壳被布置成在第一外壳与第二外壳之间限定第一间隙的侧向间隔开的关系；

跨越第一外壳与第二外壳之间的第一间隙并且把第一芯片与第二芯片电耦合的互连结构；

在第一外壳的底面处的第一接触端子；以及

在第二外壳的底面处的第二接触端子，第一和第二接触端子能够由所述多芯片封装外部的部件接近。

2. 根据权利要求1所述的多芯片封装，其中，第一芯片是垂直器件。

3. 根据权利要求2所述的多芯片封装，其中，第二芯片是垂直器件。

4. 根据权利要求1所述的多芯片封装，其中，第一外壳具有顶面并且第二外壳具有顶面，以及其中所述互连结构至少部分地在第一外壳的顶面上方和在第二外壳的顶面上方延伸。

5. 根据权利要求1所述的多芯片封装，其中，第一接触端子和第二接触端子被布置在共同接触平面内。

6. 根据权利要求5所述的多芯片封装，其中，所述互连结构包括延伸到所述共同接触平面的接触部分。

7. 根据权利要求6所述的多芯片封装，其中，所述接触部分包括弯曲部分或焊球。

8. 根据权利要求7所述的多芯片封装，其中，所述接触部分以及第一外壳和第二外壳中的至少一个被布置成在所述接触部分与第一外壳和第二外壳中的所述至少一个之间限定第二间隙的侧向间隔开的关系，其中第二间隙具有至少1毫米的间隙宽度。

9. 根据权利要求8所述的多芯片封装，其中，利用填充材料至少部分地填充第一间隙和第二间隙中的至少一个。

10. 根据权利要求1所述的多芯片封装，其中，第一接触端子和第二接触端子中的至少一个包括焊球或接触垫。

11. 根据权利要求1所述的多芯片封装，其中，所述多芯片封装被配置成在第一接触端子与第二接触端子之间的大于100伏特的电压差下进行操作。

12. 根据权利要求1所述的多芯片封装，其中，所述互连结构包括引线框。

13. 根据权利要求1所述的多芯片封装，其中，所述互连结构包括陶瓷衬底。

14. 根据权利要求1所述的多芯片封装，其中，所述互连结构包括电介质衬底。

15. 根据权利要求1所述的多芯片封装，其中，第一芯片包括功率晶体管和/或功率二极管。

16. 根据权利要求1所述的多芯片封装，其中，第二芯片包括功率晶体管和/或功率二极管。

17. 根据权利要求1所述的多芯片封装，其中，第一外壳包括密封剂，所述密封剂包括从由下述构成的组中选择的一种或多种密封剂材料：聚合材料，环氧树脂材料，聚酰亚胺材料，填充材料，纤维材料，碳纤维材料，玻璃纤维材料，以及包括氧化物微粒的材料。

18. 根据权利要求17所述的多芯片封装，其中，第二外壳包括密封剂，所述密封剂包括从由下述构成的组中选择的一种或多种密封剂材料：聚合材料，环氧树脂材料，聚酰亚胺材料，填充材料，纤维材料，碳纤维材料，玻璃纤维材料，以及包括氧化物微粒的材料。

19. 根据权利要求1所述的多芯片封装，其中，第一间隙具有至少1毫米的最小间隙宽度。

20. 根据权利要求1所述的多芯片封装，其中，所述互连结构是柔性的。

21. 根据权利要求1所述的多芯片封装，其中，所述互连结构是刚性的。

22. 一种多芯片封装，包括：

容纳在第一外壳中的第一芯片；

容纳在第二外壳中的第二芯片，其中第一外壳和第二外壳被布置成在第一外壳与第二外壳之间限定间隙的侧向间隔开的关系；

被配置成跨越第一外壳与第二外壳之间的所述间隙并且把第一芯片与第二芯片电耦合的互连结构；以及

在第一外壳处的第一接触端子和在第二外壳处的第二接触端子，其中所述多芯片封装被配置成在第一接触端子与第二接触端子之间的大于100伏特的电压差下进行操作。