[发明专利]多芯片封装及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及多芯片封装以及制造多芯片封装的方法。

背景技术

在半导体领域内，芯片可以携带电路，举例来说，例如在低电压、低电流和/或低频率的领域内通过潜在的大量电路元件实施潜在的复杂逻辑的IC（集成电路）。其他芯片（例如在高电压、高电流和/或高频率应用的领域内的功率半导体芯片）可以仅仅实施一个或几个半导体或电路元件（例如功率晶体管、功率二极管等等）。

存在以基于芯片的方式在电气和电子领域内实施越来越多应用的趋势。这可以包括要借助于基于芯片的功率半导体元件（例如功率晶体管、功率二极管等等）实施的功率应用，并且可以附加地或替换地包括例如用于控制这样的功率元件的允许HV（高电压）的控制逻辑。功率应用例如可以包括电源、功率转换器、开关模式转换器、交流（AC）/直流（DC）转换器、DC/DC转换器等等。这样的应用可以被采用在例如在用于个人计算机（PC）部件的电源、电子照明设备、基于电池的设备等等的领域内的多种设备中。

当在单芯片或多芯片器件（例如多芯片封装或多芯片模块（MCM））中实施HV应用时，在器件的接触端子之间可能出现高电压。相应的接触端子因此必须间隔开足够的隔离距离以最小化爬电电流（泄漏电流）。取决于电压，一对接触端子可能必须间隔开例如处于毫米或更大的范围内的间距。遵守预定义的爬电距离可能因此导致器件尺寸增大，这又可能导致成本增加。

因此，在高电压应用的领域内存在针对成本高效的解决方案的一般需求。

发明内容

根据本公开的一个方面，一种多芯片封装包括容纳在第一外壳中的第一芯片和容纳在第二外壳中的第二芯片。第一外壳和第二外壳被布置成在第一外壳与第二外壳之间限定间隙的侧向间隔开的关系。互连结构被配置成跨越第一外壳与第二外壳之间的所述间隙。所述互连结构被配置成将第一芯片与第二芯片电耦合。

附图说明

附图被包括以提供对本公开的各种方面的透彻理解，以及附图被结合在本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图示出不同实施例，并且与描述一起用来解释其各种方面。其他实施例、方面和优点将容易被认识到，因为通过参照下面的详细描述，它们变得更好理解。

在附图和描述中，类似的附图标记通常被利用来始终指代类似的元件。应当注意，在附图中示出的各种元件和结构不一定是按比例绘制的。主要为了清楚和易于理解起见，特征和/或元件利用相对于彼此的特定尺寸而被示出；因此，在实际实施中的相对尺寸可能大大不同于在这里所示的相对尺寸。

图1是示出包括各种多芯片封装的功率电路的一个实施例的电路图；

图2示意性地示出根据本公开的多芯片封装的第一实施例；

图3示出根据本公开的多芯片封装的第二实施例；

图4示出根据本公开的多芯片封装的第三实施例；

图5A和5B在部分透明的侧视图和顶视图中示出多芯片封装的第四实施例；

图6A和6B在部分透明的侧视图和顶视图中示出多芯片封装的第五实施例；

图7A和7B在部分透明的侧视图和顶视图中示出多芯片封装的第六实施例；

图8在部分透明的侧视图中示出多芯片封装的第七实施例；

图9是示出制造多芯片封装的方法的一个实施例的流程图；以及

图10A到10E示出图9的制造过程的各种阶段。

具体实施方式

在下面的描述中，出于解释而非限制的目的，参照附图阐述了各种实施例，其包括许多特定细节以便提供对本公开的透彻理解。应当理解，在不背离本公开的范围的情况下，可以实践在这些特定细节中的一个或多个中有所不同的其他实施例。相应地，下面的描述意图仅仅出于说明性的非限制性目的，并且本发明的范围应当仅由所附权利要求书来限定。

在这里可以使用术语“耦合”和“连接”以及派生词。应当理解，这些术语可以被用来指示，两个元件进行协作或彼此交互，而不管它们是否彼此具有直接的物理接触或电接触。