[发明专利]一种阵列基板、制备方法以及显示装置有效

专利信息
申请号: 201310199377.X 申请日: 2013-05-24
公开(公告)号: CN103487999A 公开(公告)日: 2014-01-01
发明(设计)人: 徐向阳;邓立赟;金玟秀;操彬彬 申请(专利权)人: 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1333
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;陈源
地址: 230011 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 制备 方法 以及 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,该阵列基板包括呈网格分布的非像素区以及由所述非像素区包围形成的多个子像素区,所述非像素区内设置有多条交叉设置的扫描线和数据线,其特征在于,所述子像素区与非像素区的上方均设置有公共电极,所述公共电极对应着所述子像素区的区域的厚度为第一厚度,所述公共电极对应着所述扫描线和/或所述数据线的区域的厚度为第二厚度,所述第一厚度小于所述第二厚度。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极采用氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟镓锡中的至少一种材料形成。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极中对应着所述子像素区、所述扫描线和/或所述数据线的区域中小于等于第一厚度的部分采用氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟镓锡中的至少一种材料形成;所述公共电极中对应着所述扫描线和/或所述数据线的区域中大于第一厚度且小于等于第二厚度的部分采用钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛和铜中的至少一种材料形成。

4.根据权利要求1-3任一所述的阵列基板,其特征在于,所述子像素区内设置有栅电极、栅极绝缘层、有源层、源电极、漏电极、像素电极以及钝化层,所述扫描线与所述栅电极电连接,所述数据线与所述源电极电连接,所述像素电极与所述漏电极电连接,所述公共电极延伸至覆盖所述扫描线和/或所述数据线。

5.根据权利要求1-3任一所述的阵列基板,其特征在于,所述源电极和所述漏电极与所述像素电极之间还进一步包括有有机薄膜层,所述有机薄膜层采用含有感光材料的树脂材料形成。

6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层采用氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟镓锡中的至少一种材料形成;或者,所述有源层采用非晶硅材料形成。

7.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极设置于所述钝化层的上方,所述公共电极在对应着所述子像素区的区域内呈狭缝状分布;

或者,所述像素电极设置于所述钝化层的上方,所述像素电极在对应着所述子像素区的区域内呈狭缝状分布。

8.根据权利要求1-3任一所述的阵列基板,其特征在于,所述第一厚度的范围为所述第二厚度的范围为

9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-8任一项所述的阵列基板。

10.一种阵列基板的制备方法,包括形成多条交叉设置的扫描线和数据线的步骤,所述扫描线和数据线将所述阵列基板划分为呈网格分布的非像素区以及由所述非像素区包围形成的多个子像素区,其特征在于,还包括在所述子像素区、所述扫描线和/或所述数据线的上方形成包括公共电极的图形的步骤,所述公共电极对应着所述子像素区的区域的厚度为第一厚度,所述公共电极对应着所述扫描线和/或所述数据线的区域的厚度为第二厚度,所述第一厚度小于所述第二厚度。

11.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,形成包括公共电极的图形具体包括以下步骤:

步骤S11):形成导电膜层;

步骤S12):在所述导电膜层的上方形成光刻胶;

步骤S13):采用双色调掩模板对所述光刻胶进行曝光、显影,所述双色调掩模板上设有完全保留区、部分保留区和完全去除区,所述光刻胶对应着所述完全保留区的区域被完全保留,对应着所述部分保留区的区域被部分保留,对应着所述完全去除区的区域被完全去除;

步骤S14):对完成步骤S13)的导电膜层进行刻蚀,在对应着所述子像素区的区域形成包括狭缝状的部分公共电极的图形;

步骤S15):对完成步骤S14)的光刻胶进行灰化处理,灰化掉被部分保留的光刻胶;

步骤S16):对完成步骤S15)的导电膜层进行刻蚀,在对应着所述子像素区、所述扫描线和/或所述数据线的区域形成包括另一部分公共电极的图形,所述公共电极对应着子像素区的厚度为第一厚度,对应着所述扫描线和/或所述数据线的区域的厚度为第二厚度,所述第二厚度大于所述第一厚度;

步骤S17):将剩余的光刻胶剥离。

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