[发明专利]一种阵列基板、制备方法以及显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、制备方法以及显示装置。

背景技术

随着科学技术的发展，平板显示装置已取代笨重的CRT(Cathode Ray Tube,阴极射线管)显示装置日益深入人们的日常生活中，液晶显示装置（Liquid Crystal Display：简称TFT）是平板显示装置中的一种。液晶显示装置的主要构成部件是液晶面板，液晶面板主要包括彩膜基板和阵列基板，彩膜基板和阵列基板之间填充有液晶。其中，在阵列基板或彩膜基板中还设置有用于产生电场的电极，电极决定电场的分布，电场分布决定液晶的偏转，进而影响液晶面板的显示。液晶显示装置中的每一像素点均设置有像素电极（Pixel）以及与其相对的公共电极（Com），在成像过程中，像素电极由集成在阵列基板中的薄膜晶体管（Thin Film Transistor：简称TFT）、存储电容（storing capacitor，以下简称Cs，也称像素电容）来控制，实现有源驱动，从而实现图像显示。薄膜晶体管作为控制开关，是实现LCD显示装置显示的关键，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。

随着显示技术的发展，同时为了满足人们对高亮度、高对比度、低能耗的要求，高级超维场转换技术（ADvanced Super Dimension Switch，简称ADS，又称ADSDS）应运而生。在现有技术中，ADS型阵列基板中通常包括位于液晶盒同一侧的像素电极与公共电极，像素电极与公共电极间产生的多维电场，使液晶盒内的所有液晶分子都能够发生偏转，从而提高了液晶工作效率并增大了视角。高级超维场转换技术的液晶显示装置具有高像素开口率、宽视角、高亮度，低能耗等优点。

作为ADS技术的改进，目前出现了高透过率I-ADS技术、高开口率H-ADS（High aperture ADS，高开口率ADS）和高分辨率S-ADS技术等。一般的，阵列基板中像素电极与公共电极的结构包括两种，第一种结构是：子像素区中处于下层的电极为板状的公共电极（Com），上层的电极为狭缝状的像素电极（Pixel）；第二种结构是：子像素区中处于下层的电极为板状的像素电极，上层的电极为狭缝状的公共电极。如图1A、图1B所示，公共电极20为狭缝状结构，像素电极为板状电极，且公共电极20的厚度是固定的，公共电极20的电导率较小，供电能力弱。

公共电极作为公共基准电压的提供者，其最主要的功能在于能保持一个稳定的公共电压参考点。但是，由于液晶的特殊性质，液晶显示装置中一般采用交流驱动模式，例如：帧反转、行反转、列反转以及点反转等模式。由于Cs以及其他寄生电容的存在，在交流驱动模式下，交流信号会对公共电压产生周期性地被拉高或拉低的影响，如果公共电极的导电特性不好，就会影响显示装置画面的显示质量，例如：在显示图像的同时还伴随有绿条（Greenish）、抖动（Flick）和串扰（Crosstalk）等现象。

为保证子像素区中TFT稳定工作，需要存储在Cs上的电荷继续维持TFT的驱动电压，以使得液晶分子在一个帧周期内维持稳定的工作状态。相应的，如何保证阵列基板中公共电极中电压的稳定性，提高公共电极的供电能力，提高显示画面质量成为目前业界亟待解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上不足，提供一种阵列基板、制备方法以及显示装置，该阵列基板的公共电极导电能力较强，使得公共电极在整个显示面板的电压分布更均匀。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是该阵列基板，包括呈网格分布的非像素区以及由所述非像素区包围形成的多个子像素区，所述非像素区内设置有多条交叉设置的扫描线和数据线，所述子像素区与非像素区的上方均设置有公共电极，所述公共电极对应着所述子像素区的区域的厚度为第一厚度，所述公共电极对应着所述扫描线和/或所述数据线的区域的厚度为第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度。

一种优选方案是，所述公共电极采用氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟镓锡中的至少一种材料形成。

另一种优选方案是，所述公共电极中对应着所述子像素区、所述扫描线和/或所述数据线的区域中小于等于第一厚度的部分采用氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟镓锡中的至少一种材料形成；所述公共电极中对应着所述扫描线和/或所述数据线的区域中大于第一厚度且小于等于第二厚度的部分采用钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛和铜中的至少一种材料形成。