[发明专利]射频器件的形成方法有效
| 申请号： | 201310205814.4 | 申请日： | 2013-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103296013B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 李乐 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/66 | 分类号： | H01L23/66;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射频 器件 形成 方法 | ||
1.一种射频器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供绝缘体上半导体层，所述绝缘体上半导体层包括背衬底、隐埋氧化物层、以及顶层半导体层，所述隐埋氧化物层覆盖所述背衬底，所述顶层半导体层覆盖所述隐埋氧化物层，其中，所述背衬底的材料为高电阻率硅；所述顶层半导体层表面形成有晶体管和层间介质层，所述层间介质层覆盖所述晶体管；
提供表面平整的临时支撑层，将上述在具有隐埋氧化物层的所述绝缘体上半导体层的基础上形成有晶体管和层间介质层的结构进行翻转，使背衬底的表面朝上，而层间介质层的表面朝下，采用粘结剂将临时支撑层和上述翻转后的结构粘结在一起；
去除所述背衬底，直至暴露出隐埋氧化物层；
提供高阻率的衬底，将所述高阻率的衬底与所述隐埋氧化物层接合，其中，所述高电阻率的衬底的材料为绝缘的玻璃片或者其他易于切割的平整绝缘材料；
将所述高阻率的衬底与所述隐埋氧化物层接合后，移除所述临时支撑层，暴露出所述层间介质层表面。
2.如权利要求1所述的射频器件的形成方法，其特征在于，将层间介质层表面与所述临时支撑层接合的方法为：使用粘结剂将所述层间介质层表面与所述临时支撑层表面接合。
3.如权利要求1所述的射频器件的形成方法，其特征在于，将所述高阻率的衬底与所述隐埋氧化物层接合的工艺为键合工艺。
4.如权利要求3所述的射频器件的形成方法，其特征在于，所述键合工艺的工艺参数为：键合温度为400摄氏度-600摄氏度。
5.如权利要求1所述的射频器件的形成方法，其特征在于，所述临时支撑层为硅片、玻璃片或陶瓷片。
6.如权利要求1所述的射频器件的形成方法，其特征在于，去除所述背衬底的工艺为化学机械抛光工艺和/或刻蚀工艺。
7.如权利要求1所述的射频器件的形成方法，其特征在于，还包括：形成覆盖所述层间介质层表面的互连金属层。
8.如权利要求1所述的射频器件的形成方法，其特征在于，当使用粘结剂将所述层间介质层表面与所述临时支撑层表面接合时，移除所述临时支撑层的方法为：在100摄氏度-300摄氏度下，加热所述粘结剂至其分解软化。
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