[发明专利]电容和电感的测量方法有效
申请号: | 201310205846.4 | 申请日: | 2013-05-29 |
公开(公告)号: | CN103308777A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 王灵芝;吴一纯 | 申请(专利权)人: | 漳州师范学院 |
主分类号: | G01R27/26 | 分类号: | G01R27/26 |
代理公司: | 厦门市诚得知识产权代理事务所(普通合伙) 35209 | 代理人: | 何家富 |
地址: | 363000 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 电感 测量方法 | ||
1.电容测量方法,包括步骤:
A)、将一个已知阻值R的电阻和一个待测试的电容构建出一阶RC电路;
B)、对该一阶RC电路的该电容进行充电;
C)、待该电容充电结束后,使该一阶RC电路的电阻和电容串联对接连通以形成放电回路,并在该放电回路进行放电的同时,采集并记录该电容的两端电压随时间t变化的电压值数据,记为函数uC(t);
D)、以对数时间Lg(t) 轴进行微分法来处理该函数uC(t),求取导出函数K(t),即: ;
E)、求取导出函数K(t)的曲线峰尖值所对应的对数时间Lg(t)横轴的坐标值Lg(T),则RC时间常数τ=T;
F)、求取该电容的电容值C,即:。
2.根据权利要求1所述的电容测量方法,其特征在于:步骤B)和步骤C)中该一阶RC电路进行充电、放电操作是通过一个单刀双掷开关实现。
3.根据权利要求2所述的电容测量方法,其特征在于:该单刀双掷开关是电控开关。
4.根据权利要求3所述的电容测量方法,其特征在于:该单刀双掷开关是低导通电阻的模拟开关。
5.根据权利要求1所述的电容测量方法,其特征在于:步骤C)中对该电压值数据进行采集的采样率大于(10/τ),且对该函数uC(t)的曲线进行滤波平滑处理。
6.电感测量方法,包括步骤:
A)、将一个已知阻值R的电阻和一个待测试的电感构建出一阶RL电路;
B)、对该一阶RL电路的该电感进行充电;
C)、待该电感充电结束后,使该一阶RL电路的电阻和电感串联对接连通以形成放电回路,并在该放电回路进行放电的同时,采集并记录该电阻的两端电压随时间t变化的电压值数据,记为函数uR(t);
D)、以对数时间Lg(t)轴进行微分法来处理该函数uR(t),求取导出函数K(t),即:;
E)、求取导出函数K(t)的曲线峰尖值所对应的对数时间Lg(t)横轴的坐标值Lg(T),则LC时间常数τ=T;
F)、求取该电感的电感值L,即:L=τR。
7.根据权利要求6所述的电感测量方法,其特征在于:步骤B)和步骤C)中该一阶RL电路进行充电、放电操作是通过一个单刀双掷开关实现。
8.根据权利要求7所述的电感测量方法,其特征在于:该单刀双掷开关是电控开关。
9.根据权利要求8所述的电感测量方法,其特征在于:该单刀双掷开关是低导通电阻的模拟开关。
10.根据权利要求6所述的电感测量方法,其特征在于:步骤C)中对该电压值数据进行采集的采样率大于(10/τ),且对该函数uR(t)的曲线进行滤波平滑处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于漳州师范学院,未经漳州师范学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310205846.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。