[发明专利]半导体处理设备有效
申请号: | 201310207781.7 | 申请日: | 2013-05-29 |
公开(公告)号: | CN103295938B | 公开(公告)日: | 2017-10-10 |
发明(设计)人: | 巴文林 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 处理 设备 | ||
1.一种半导体处理设备,其特征在于,包括:
待降温组件;
冷却液管道,利用所述冷却液管道中的冷却液将待降温组件降温;
冷却液供应单元,所述冷却液供应单元通过导管和导管接口与冷却液管道相连接,利用所述冷却液供应单元将冷却液循环通入到冷却液管道;
漏液感应单元,所述漏液感应单元与导管、导管接口相接触,用于检测导管、导管接口处是否发生漏液;
漏液检测单元,所述漏液检测单元与所述漏液感应单元、冷却液供应单元分别连接,当漏液感应单元检测到出现漏液现象,通过漏液检测单元使得冷却液供应单元停止供液;
所述漏液感应单元为漏液感测带或漏液感测线,所述漏液感测带或漏液感测线的一端与漏液检测单元相连接,通过检测所述漏液感测带或漏液感测线的电阻变化来判断是否发生漏液;
所述漏液感测带或漏液感测线包括至少两条导线和位于两条导线之间的具有吸水性的绝缘材料,所述漏液感测带或漏液感测线的一端与漏液检测单元相连接,使得漏液感测带或漏液感测线内的导线的一端与漏液检测单元相连接,所述漏液检测单元在所述导线的一端施加检测电压,当导管或导管接口发生漏液,对应位置的漏液感测带或漏液感测线的绝缘材料因为吸水具有导电性,从而使得两条导线之间的电阻降低;
所述漏液感测带或漏液感测线缠绕在所述导管、导管接口的外表面;
或者,所述漏液感测带或漏液感测线利用固定组件固定在所述导管、导管接口的外表面。
2.如权利要求1所述的半导体处理设备,其特征在于,所述具有吸水性的绝缘材料为聚乙烯、尼龙或聚偏氟乙烯。
3.如权利要求1所述的半导体处理设备,其特征在于,所述导线的材料为金属或导电聚合物。
4.如权利要求1所述的半导体处理设备,其特征在于,还包括:报警单元,当漏液检测单元检测到出现漏液现象,所述报警单元发出警报。
5.如权利要求1所述的半导体处理设备,其特征在于,还包括:控制单元,所述控制单元与漏液检测单元相连接,当漏液检测单元检测到出现漏液现象,漏液检测单元将控制信号发送给控制单元,控制单元停止半导体处理设备的运行。
6.如权利要求1所述的半导体处理设备,其特征在于,所述半导体处理设备为半导体沉积设备、半导体刻蚀设备或等离子体注入设备。
7.如权利要求1所述的半导体处理设备,其特征在于,所述冷却液管道位于所述待降温组件内或与所述待降温组件相接触。
8.如权利要求1所述的半导体处理设备,其特征在于,所述待降温组件为反应腔侧壁、反应腔顶盖、承片台、辐射器或磁控管。
9.如权利要求1所述的半导体处理设备,其特征在于,所述冷却液为制程冷却水。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造