[发明专利]半导体处理设备有效
申请号: | 201310207781.7 | 申请日: | 2013-05-29 |
公开(公告)号: | CN103295938B | 公开(公告)日: | 2017-10-10 |
发明(设计)人: | 巴文林 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 处理 设备 | ||
技术领域
本发明涉及半导体设备,特别涉及一种具有漏液检测功能的半导体处理设备。
背景技术
在半导体制造工艺中,例如在沉积或刻蚀工艺中通常需要对半导体材料进行高温处理,会使得半导体处理设备的温度升高。且在半导体处理设备中,通常会利用反应气体的等离子体进行沉积或刻蚀工艺,而反应气体的等离子体通常采用电子回旋加速振荡、电感耦合、电容耦合等方式形成,形成所述等离子体的工艺也会使得半导体处理设备的温度升高。因此现有的半导体处理设备常通过制程冷却水(Process Cool Water,PCW)来对工艺设备进行冷却。
请参考图1,为现有的半导体处理装置的结构示意图,包括:反应腔10,位于所述反应腔10内的承片台11,所述承片台11用于承载待处理的半导体基片;位于所述反应腔10顶部的反应腔顶盖16,所述反应腔顶盖16通过射频匹配器(未图示)与射频功率源(未图示)相连接,利用所述反应腔顶盖16与承片台11形成电容耦合等离子体反应器;位于所述反应腔顶盖16内的气体喷淋头17,利用所述气体喷淋头17将反应气体均匀地通入到反应腔10中;位于所述反应腔顶盖16内的冷却水管道15,所述冷却水管道15遍布反应腔顶盖16设置,所述冷却水管道15通过进水口12和出水口13将制程冷却水不断循环。由于所述反应腔顶盖16与射频功率源相连接用于产生等离子体,所述反应腔顶盖16的温度会很高,因此,需要利用所述冷却水管道15中的制程冷却水对反应腔顶盖16顶盖进行冷却。其中所述冷却水管道15的进水口12和出水口13通过导管和导管接口与冷却水供应装置相连接。
然而,现有的半导体处理设备的冷却水管道与冷却水供应装置相连接的导管和导管接口的安全性较差,容易发生安全事故。
关于具有制程水系统的更多信息请参考公开号为CN1542903A的中国专利文献。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种半导体处理设备,可以实时地检测半导体处理设备是否发生漏水,提高了设备的安全性。
为解决上述问题,本发明提供一种半导体处理设备,包括:待降温组件;冷却液管道,利用所述冷却液管道中的冷却液将待降温组件降温;冷却液供应单元,所述冷却液供应单元通过导管和导管接口与冷却液管道相连接,利用所述冷却液供应单元将冷却液循环通入到冷却液管道;漏液感应单元,所述漏液感应单元与导管、导管接口相接触,用于检测导管、导管接口处是否发生漏液;漏液检测单元,所述漏液检测单元与所述漏液感应单元、冷却液供应单元分别连接,当漏液感应单元检测到出现漏液现象,通过漏液检测单元使得冷却液供应单元停止供液。
可选的,所述漏液感应单元为漏液感测带或漏液感测线,所述漏液感测带或漏液感测线的一端与漏液检测单元相连接,通过检测所述漏液感测带或漏液感测线的电阻变化来判断是否发生漏液。
可选的,所述漏液感测带或漏液感测线缠绕在所述导管、导管接口的外表面。
可选的,所述漏液感测带或漏液感测线利用固定组件固定在所述导管、导管接口的外表面。
可选的,所述漏液感测带或漏液感测线包括至少两条导线和位于两条导线之间的具有吸水性的绝缘材料,所述漏液感测带或漏液感测线的一端与漏液检测单元相连接,使得漏液感测带或漏液感测线内的导线的一端与漏液检测单元相连接,所述漏液检测单元在所述导线的一端施加检测电压,当导管或导管接口发生漏液,对应位置的漏液感测带或漏液感测线的绝缘材料因为吸水具有导电性,从而使得两条导线之间的电阻降低。
可选的,所述具有吸水性的绝缘材料为聚乙烯、尼龙或聚偏氟乙烯。
可选的,所述导线的材料为金属或导电聚合物。
可选的,还包括:报警单元,当漏液检测单元检测到出现漏液现象,所述报警单元发出警报。
可选的,还包括:控制单元,所述控制单元与漏液检测单元相连接,当漏液检测单元检测到出现漏液现象,漏液检测单元将控制信号发送给控制单元,控制单元停止半导体处理设备的运行。
可选的,所述半导体处理设备为半导体沉积设备、半导体刻蚀设备或等离子体注入设备。
可选的,所述冷却液管道位于所述待降温组件内或与所述待降温组件相接触。
可选的,所述待降温组件为反应腔侧壁、反应腔顶盖、承片台、辐射器或磁控管。
可选的,所述冷却液为制程冷却水。
与现有技术相比,本发明的技术方案具有以下优点:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造