[发明专利]闩锁周全以硅控整流器为基础的设备有效
| 申请号： | 201310208424.2 | 申请日： | 2013-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103456722B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 赖大伟 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/74 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 周全 整流器 基础 设备 | ||
1.一种方法，其包括：
提供在硅控整流器的基底中的第一N+区域和第一P+区域；
提供在该基底中接近该第一N+和P+区域的第一和第二n井区域；
提供在该第一n井区域中的第二N+区域，以及在该第二n井区域中的第二P+区域；以及
耦合该第一N+和P+区域至接地轨、该第二N+区域至电源轨、以及该第二P+区域至输入/输出垫。
2.根据权利要求1所述的方法，更包括：
在闩锁事件期间，提供大于该硅控整流器的最大操作电压的该硅控整流器的保持电压。
3.根据权利要求2所述的方法，更包括：
通过接通该电源轨，以提供该硅控整流器的该保持电压。
4.根据权利要求1所述的方法，更包括：
提供在该第二n井区域中的第三P+区域。
5.根据权利要求4所述的方法，更包括：
提供在该第二N+和P+区域之间的该第三P+区域。
6.根据权利要求5所述的方法，更包括：
提供在该第二和第三P+区域之间的第三N+区域。
7.根据权利要求4所述的方法，更包括：
提供具有第一和第二电阻器端子的电阻器；
提供具有第一和第二电容器端子的电容器；以及
耦合该第三P+区域至该第一电阻器和电容器端子、该第二电阻器端子至该接地轨、以及该第二电容器端子至该输入/输出垫。
8.根据权利要求1所述的方法，更包括：
提供在该第一n井区域的第一侧上的该第一N+和P+区域；以及
提供在该第一n井区域的第二侧上的该第二n井区域，其中，该第一侧是相对于该第二侧。
9.根据权利要求1所述的方法，更包括：
在闩锁事件期间，提供大于100毫安的该硅控整流器的保持电流、触发电流、或其组合。
10.一种设备，其包括：
在基底中的第一N+区域和第一P+区域；
在该基底中接近该第一N+和P+区域的第一和第二n井区域；
在该第一n井区域中的第二N+区域；以及
在该第二n井区域中的第二P+区域，其中，该第一N+和P+区域耦合至接地轨，该第二N+区域耦合至电源轨，以及该第二P+区域耦合至输入/输出垫。
11.根据权利要求10所述的设备，其中，在闩锁事件期间，该设备的保持电压是大于该设备的最大操作电压。
12.根据权利要求11所述的设备，其中，通过接通该电源轨以提供该设备的该保持电压。
13.根据权利要求1所述的设备，更包括：
在该第二n井区域中的第三P+区域。
14.根据权利要求13所述的设备，其中，该第三P+区域是在该第二N+和P+区域之间。
15.根据权利要求14所述的设备，更包括：
在该第二和第三P+区域之间的第三N+区域。
16.根据权利要求13所述的设备，更包括：
具有第一和第二电阻器端子的电阻器；以及
具有第一和第二电容器端子的电容器，其中，该第三P+区域耦合至该第一电阻器和电容器端子，该第二电阻器端子耦合至该接地轨，以及该第二电容器端子耦合至该输入/输出垫。
17.根据权利要求1所述的设备，其中，该第一N+和P+区域是在该第一n井区域的第一侧上，以及该第二n井区域是在该第一n井区域的第二侧上，且该第二侧是相对于该第一侧。
18.根据权利要求1所述的设备，其中，在闩锁事件期间，该硅控整流器的保持电流、触发电流、或其组合是大于100毫安。
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