[发明专利]一种R-Fe-B系烧结磁体的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310209231.9 申请日: 2013-05-30
公开(公告)号: CN103258633A 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: 于永江;孙秀彦;李志强;王玉林;刘磊 申请(专利权)人: 烟台正海磁性材料股份有限公司
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;H01F1/057;H01F1/08;B22F3/10
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 杨立
地址: 264006 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 fe 烧结 磁体 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种R-Fe-B系烧结磁体的制备方法,其特征在于,包括:

1)采用本领域技术人员公知的方法制备R1-Fe-B-M烧结磁体,其中,R1选自Nd、Pr、Dy、Tb、Ho、Gd中的一种或者几种,其总量为26wt%~33wt%;M选自Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Ga、Ca、Cu、Zn、Si、Al、Mg、Zr、Nb、Hf、Ta、W、Mo中的一种或几种,其总量为0~5wt%;B总量为0.5wt%~2wt%;其余为Fe;

2)将步骤1)得到的烧结磁体进行除油、酸洗、活化及去离子水清洗处理;

3)将步骤2)中清洗后的烧结磁体放入密封箱并使烧结磁体处于循环Ar保护气氛中,在烧结磁体表面使用热喷涂方法涂覆一层厚度为10~200μm的金属Tb或者金属Dy作为喷涂材料;

4)将步骤3)处理后的烧结磁体放入真空烧结炉内,750~1000℃热处理2~72h,真空烧结炉内真空度控制在10-2~10-5Pa或者真空烧结炉内采用5~20kPa的Ar保护气氛,使金属Tb或金属Dy通过晶界扩散进入烧结磁体内部;

5)将步骤4)处理后的烧结磁体在450~600℃时效处理1~10h,得到R-Fe-B系烧结磁体。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤3)中,在烧结磁体表面使用热喷涂方法涂覆一层厚度为20~100μm的金属Tb或者金属Dy。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤3)中,在密封箱的箱体上设置Ar气输入口和Ar气控制阀,箱体外设置氩气压缩机,以维持箱体内部压强基本稳定。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤3)中,所述烧结磁体在热喷涂之前紧密排布于密封箱内部,在对烧结磁体一面进行热喷涂后进行翻转,对另一面进行热喷涂处理。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤4)中,当使用金属Tb作为喷涂材料时,真空烧结炉内温度为850~970℃,热处理时间为5~72h,真空烧结炉内真空度为10-3~10-4Pa,或者真空烧结炉内采用5~10kPa的Ar保护气氛;当使用金属Dy作为喷涂材料时,真空烧结炉内温度为800~950℃,热处理时间为5~72h,真空烧结炉内真空度为10-3~10-4Pa,或者真空烧结炉内采用5~10kPa的Ar保护气氛。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤5)中,所述时效处理温度为470~550℃,处理时间为2~5h。

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