[发明专利]一种铜电极太阳能电池片及其制造方法有效
申请号: | 201310209332.6 | 申请日: | 2013-05-31 |
公开(公告)号: | CN103325856A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 叶志龙;刘宗义;李丽 | 申请(专利权)人: | 深圳市圣龙特电子有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人: | 刘海军;杨建新 |
地址: | 523000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电极 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种铜电极太阳能电池片,其特征是:所述的太阳能电池片包括有完成制结处理的硅片、氮化硅减反射膜、保护膜、铝背面电场电极、铜背电极和铜正电极,氮化硅减反射膜覆盖在硅片正面,保护膜覆盖在氮化硅减反射膜上,硅片背面印有铝背面电场电极及铜背电极,在硅片正面保护膜上面印有铜正电极。
2.根据权利要求1所述的铜电极太阳能电池片,其特征是:所述的氮化硅减反射膜的厚度为5-100纳米。
3.根据权利要求1所述的铜电极太阳能电池片,其特征是:所述的保护膜的厚度为5-100纳米。
4.根据权利要求1所述的铜电极太阳能电池片,其特征是:所述的硅片为单晶硅、多晶硅和非晶硅中的任意一种。
5.一种如权利要求1至4中任意一项所述的铜电极太阳能电池片的制作方法,其特征是:所述的方法包括下述步骤:
A、在硅片的正面覆盖一层氮化硅减反射膜;
B、在氮化硅减反射膜的上面覆盖一层导电透明的保护膜;
C、硅片背面印制铝背面电场电极;
D、硅片背面印制铜背电极;
E、在硅片正面保护膜上面印制铜正电极;
F、经印刷电极后的硅片经一次性高温快速烧结形成铜电极太阳能电池片。
6.根据权利要求5所述的制作方法,其特征是:所述的步骤C、D和E中印制时,采用丝网印刷将铜浆或铝浆按照设定图形印制在硅片、保护层或铝背面电场电极上,然后经过烘干温度均为90℃-150℃,烘干时间为5-10分钟的烘干。
7.根据权利要求5所述的制作方法,其特征是:所述的高温快速烧结时,使用铜浆料烧结专用网带气氛炉一次烧结完成,保护气氛为氮气,烧结炉至少有5个温区,分别为预热区、排胶区、高温区、峰值区、降温区,每个温区参数范围见下表:
。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的