[发明专利]一种铜电极太阳能电池片及其制造方法有效
申请号: | 201310209332.6 | 申请日: | 2013-05-31 |
公开(公告)号: | CN103325856A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 叶志龙;刘宗义;李丽 | 申请(专利权)人: | 深圳市圣龙特电子有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人: | 刘海军;杨建新 |
地址: | 523000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电极 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明公开一种太阳能电池片,特别是一种铜电极太阳能电池片及其制造方法。
背景技术
随着地球资源的日益减少,绿色能源、环保能源、可再生能源的研究和利用在人们生活中越来越受到重视。太阳能作为清洁能源,被受到广泛研究,现有技术中的对太阳能的利用主要为通过太阳能电池片将太阳能转换成电能,目前,太阳能电池用的导体浆料占太阳能电池片整体结构成本在百分之二十五左右,太阳能电池片中的电极通常是采用导电性能良好的银制成,但是其成本过高。为了在保证转化率的同时进一步降低太阳能电池片总体成本,常规的做法是运用导电性良好的贱金属替代昂贵的银作为太阳能浆料的导电相成为了一个首选的途径,目前,此项研究已经成为业界亟待解决的问题。
发明内容
针对上述提到的现有技术中的太阳能电池片采用银作为导体电极,成本过高的缺点,本发明提供一种铜电极太阳能电池片及其制造方法,其沉积了保护膜解决了铜对扩散层的侵蚀问题,通入保护性气氛严格控制氧含量解决了铜在烧结过程中的氧化问题,采用铜正电极和铜背电极取代银电极,降低了生产成本,提高了光电转化率。
本发明解决其技术问题采用的技术方案是:一种铜电极太阳能电池片,太阳能电池片包括有完成制结处理的硅片、氮化硅减反射膜、保护膜、铝背面电场电极、铜背电极和铜正电极,氮化硅减反射膜覆盖在硅片正面,保护膜覆盖在氮化硅减反射膜上,硅片背面印有铝背面电场电极及铜背电极,在硅片正面保护膜上面印有铜正电极。
一种如上述的铜电极太阳能电池片的制作方法,该方法包括下述步骤:
A、 在硅片的正面覆盖一层氮化硅减反射膜;
B、 在氮化硅减反射膜的上面覆盖一层导电透明的保护膜;
C、 硅片背面印制铝背面电场电极;
D、 硅片背面印制铜背电极;
E、 在硅片正面保护膜上面印制铜正电极;
F、 经印刷电极后的硅片经一次性高温快速烧结形成铜电极太阳能电池片。
本发明解决其技术问题采用的技术方案进一步还包括:
所述的氮化硅减反射膜的厚度为5-100纳米。
所述的保护膜的厚度为5-100纳米。
所述的硅片为单晶硅、多晶硅和非晶硅中的任意一种。
所述的高温快速烧结时,使用铜浆料烧结专用网带气氛炉一次烧结完成,保护气氛为氮气,烧结炉至少有5个温区,分别为预热区、排胶区、高温区、峰值区、降温区,每个温区参数范围见下表:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的