[发明专利]硅片刻蚀的方法及太阳能电池片的制作方法无效
| 申请号： | 201310209382.4 | 申请日： | 2013-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103258728A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 马红娜;安海娇;郝帅 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/311;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 刻蚀 方法 太阳能电池 制作方法 | ||
1.一种硅片刻蚀的方法，其特征在于，包括：
提供硅片，所述硅片包括硅片基体、覆盖在所述硅片基体表面的掺杂层、及覆盖在所述掺杂层背离所述硅片基体一侧表面上的玻璃层，所述掺杂层背离所述硅片基体一侧的表面为绒面；
在位于所述硅片基体正面的玻璃层背离所述硅片基体一侧的表面形成水保护层；
将所述硅片具有所述水保护层的一面朝上置于化学试剂中进行刻蚀，去除所述硅片基体除正面外的区域上的掺杂层及玻璃层。
2.根据权利要求1所述的硅片刻蚀的方法，其特征在于，所述在所述掺杂层背离所述硅片基体一侧的表面形成水保护层，具体包括：
在所述硅片上方设置一排喷头，所述喷头排列的长度大于或等于所述硅片中垂直于所述硅片传送方向的边的长度，所述喷头排列的方向垂直于所述硅片传送方向；
在所述硅片具有所述水保护层的一面朝上传送的同时，所述喷头朝向所述硅片喷水，在所述硅片的正面形成水保护层。
3.根据权利要求2所述的硅片刻蚀的方法，其特征在于，所述喷头的水流量范围为20L/min～150L/min，包括端点值。
4.根据权利要求2所述的硅片刻蚀的方法，其特征在于，所述喷头上具有可控制水流量的阀门。
5.根据权利要求1所述的硅片刻蚀的方法，其特征在于，所述化学试剂为氢氟酸、硝酸、硫酸和去离子水的混合溶液。
6.一种太阳能电池片的制作方法，其特征在于，包括：
提供硅片；
去除所述硅片表面的损伤层，将所述硅片的表面制成绒面；
在所述硅片的表面形成掺杂层，形成所述掺杂层的过程中伴随产生玻璃层；
采用权利要求1～5任一项所述的硅片刻蚀的方法刻蚀所述硅片；
去除覆盖在所述掺杂层背离所述硅片的硅片基体一侧的表面的玻璃层；
在所述掺杂层背离所述硅片基体一侧的表面形成钝化减反射膜；
在所述钝化减反射膜背离所述硅片基体一侧的表面形成正面电极栅线，在所述硅片基体的背面形成背面场及背面电极栅线；
对所述硅片进行烧结。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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