[发明专利]硅片刻蚀的方法及太阳能电池片的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，更具体地说，涉及一种硅片刻蚀的方法及太阳能电池片的制作方法。

背景技术

太阳能电池是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且利用的是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池具有广阔的发展前景。

常见的太阳能电池片的制作过程大致为：去除表面损伤层及制备绒面-扩散制作PN结-边缘刻蚀-去玻璃层-制备钝化减反射膜-丝网印刷-烧结-分选。但是，现有的制作方法所制作的太阳能电池片表面漏电较严重，并且太阳能电池片的外观不太美观。

发明内容

本发明提供了一种硅片刻蚀的方法及太阳能电池片的制作方法，以减轻太阳能电池片表面漏电现象，进而提高太阳能电池片的转换效率，同时改善太阳能电池片外观。

为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案：

一种硅片刻蚀的方法，其特征在于，包括：

提供硅片，所述硅片包括硅片基体、覆盖在所述硅片基体表面的掺杂层、及覆盖在所述掺杂层背离所述硅片基体一侧表面上的玻璃层，所述掺杂层背离所述硅片基体一侧的表面为绒面；

在位于所述硅片基体正面的玻璃层背离所述硅片基体一侧的表面形成水保护层；

将所述硅片具有所述水保护层的一面朝上置于化学试剂中进行刻蚀，去除所述硅片基体除正面外的区域上的掺杂层及玻璃层。

优选的，所述在所述掺杂层背离所述硅片基体一侧的表面形成水保护层，具体包括：

在所述硅片上方设置一排喷头，所述喷头排列的长度大于或等于所述硅片中垂直于所述硅片传送方向的边的长度，所述喷头排列的方向垂直于所述硅片传送方向；

在所述硅片具有所述水保护层的一面朝上传送的同时，所述喷头朝向所述硅片喷水，在所述硅片的正面形成水保护层。

优选的，所述喷头的水流量范围为20L/min～150L/min，包括端点值。

优选的，所述喷头上具有可控制水流量的阀门。

优选的，所述化学试剂为氢氟酸、硝酸、硫酸和去离子水的混合溶液。

本发明还提供了一种太阳能电池片的制作方法，其特征在于，包括：

提供硅片；

去除所述硅片表面的损伤层，将所述硅片的表面制成绒面；

在所述硅片的表面形成掺杂层，形成所述掺杂层的过程中伴随产生玻璃层；

采用权利要求1～5任一项所述的硅片刻蚀的方法刻蚀所述硅片；

去除覆盖在所述掺杂层背离所述硅片的硅片基体一侧的表面的玻璃层；

在所述掺杂层背离所述硅片基体一侧的表面形成钝化减反射膜；

在所述钝化减反射膜背离所述硅片基体一侧的表面形成正面电极栅线，在所述硅片基体的背面形成背面场及背面电极栅线；

对所述硅片进行烧结。

与现有技术相比，本发明所提供的技术方案至少具有以下优点：

本发明所提供的硅片刻蚀的方法及太阳能电池片的制作方法，利用玻璃层的亲水性，刻蚀之前在位于硅片基体正面的玻璃层背离硅片基体一侧的表面形成一层吸附在玻璃层表面水保护层。当硅片刻蚀时，水保护层中的水会稀释流动到玻璃层上的化学试剂，使化学试剂的浓度变得很低，经过稀释后的化学试剂基本不会腐蚀硅片基体正面PN结，而硅片基体除正面外的区域上的掺杂层和玻璃层与化学试剂直接接触，进而被去除掉，从而在保证硅片基体除正面外的区域上的PN结被去除的基础上，降低了刻蚀时对硅片基体正面PN结的损伤程度，减少了太阳能电池片表面漏电，进而提高了太阳能电池片的转换效率。

并且，由于水保护膜稀释了流动到硅片基体正面玻璃层上的化学试剂，硅片基体正面的掺杂层几乎不会被侵蚀，所以降低了刻蚀在硅片有掺杂层的一面形成的刻蚀印的明显程度，改善了太阳能电池片的外观。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例一所提供的硅片刻蚀的方法的流程图；

图2～图4为本发明实施例一所提供的硅片刻蚀的方法各步骤的剖面图；

图5为本发明实施例二所提供的太阳能电池片的制作方法的流程图，

具体实施方式