[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于其包括：

基板；以及

多个第一堆叠构造与多个第二堆叠构造，配置于该基板上方，该些第一堆叠构造比该些第二堆叠构造被配置得更密集，而该些第一堆叠构造与该些第二堆叠构造是由一间隙所分离，

其中，

该基板包括：第一沟槽，在该些第一堆叠构造之间；第二沟槽，在该些第二堆叠构造之间；及第三沟槽，在该间隙中，并且

该第一沟槽的深度小于该第三沟槽的深度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于其中该第二沟槽的深度与该第三沟槽的深度相同。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于其中该第一沟槽的深度小于该第二沟槽的深度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于其中该第一沟槽的最大深度小于该第三沟槽的最大深度。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于其中该第三沟槽的一底部在相邻于该些第一堆叠构造的其中一个的该第三沟槽的一第一侧壁与相邻于该些第二堆叠构造的其中一个的该第三沟槽的一第二侧壁之间是连续的。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于其还包括：

一侧壁，在该第一沟槽的一部分与该第三沟槽的一部分之间，其中

该侧壁与该第三沟槽的底部形成一角度，且

该角度并非是90度。

7.根据权利要6所述的半导体装置，其特征在于其中该角度是在105度与170度之间。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于其中该些第一堆叠构造被定义于一记忆体装置的一阵列区域中，而该些第二堆叠构造被定义于该记忆体装置的一周边区域中。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于其还包括：

一边界，在该第一沟槽的一部分与该第三沟槽的一部分之间，其中

该边界是凹向内至一位于该些第一堆叠构造之间的该些第一堆叠构造的一中间区域，以形成一凹部。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于其中该凹部是凹状偏转向内部至该些第一堆叠构造的该中间区域。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于其中该凹部呈现V形，而该V形的一中央部分向内部地延伸朝向该些第一堆叠构造的该中间区域。

12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一基板；

形成多个堆叠构造于该基板上，该些堆叠构造的一部分被定义为一阵列区域，而该些堆叠构造的另一部分被定义为一周边区域；以及

形成多个沟槽，该些沟槽包括多数个位于该阵列区域中的第一沟槽、多个位于该周边区域中的第二沟槽以及至少一个位于在该阵列区域与该周边区域之间的介面中的第三沟槽，其中该些第二沟槽与该第三沟槽比该些第一沟槽深。

13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于其中形成该些堆叠构造的步骤包括：提供一止挡层在该阵列区域中的该些堆叠构造之间。

14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于其中该止挡层为一氮化硅层。

15.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于其中形成该些沟槽的步骤包括：利用一选择性蚀刻来蚀刻该半导体装置。

16.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于其中该选择性蚀刻是与该止挡层比较而言针对在该止挡层之下的一层具有选择性。

17.根据权利要求16所述的半导体装置的制造方法，其特征在于其中在该止挡层之下的该层为多晶硅，该止挡层是氮化硅，而该该选择性蚀刻的蚀刻剂是对氮化硅与多晶硅具有选择性。

18.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于其中该选择性蚀刻的蚀刻剂包括四氟化碳、三氟甲烷、溴化氢及氮气。

19.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于其中该选择性蚀刻的蚀刻剂包括氯、溴化氢及氦氧混合物。

20.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于其中该选择性蚀刻的蚀刻剂包括四氟化碳、三氟甲烷及溴化氢。