[发明专利]背照式CMOS影像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 201310210850.X | 申请日： | 2013-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103296042A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 高喜峰;费孝爱 | 申请（专利权）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背照式 cmos 影像 传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种背照式CMOS影像传感器，其特征在于，包括：
半导体基底，所述半导体基底包括正面及背面；
所述半导体基底的背面形成有多片滤光片；
每相邻两片滤光片之间形成有金属遮蔽侧墙，所述金属遮蔽侧墙的顶面等于或者高于所述滤光片的表面。
2.如权利要求1所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，所述金属遮蔽侧墙为铝金属遮蔽侧墙或者钨金属遮蔽侧墙。
3.如权利要求1或2所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，每片滤光片表面形成有微透镜。
4.如权利要求1或2所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，所述半导体基底中形成有多个光电二极管，所述多个光电二极管靠近所述半导体基底的背面，每一光电二极管与一滤光片对应。
5.如权利要求1或2所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，每一滤光片及半导体基底的背面之间形成有二氧化硅层。
6.一种背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底，所述半导体基底包括正面及背面；
在所述半导体基底的背面形成滤光片层；
刻蚀所述滤光片层，露出部分半导体基底的背面，形成多片滤光片并在相邻的两片滤光片之间形成沟槽；
在所述沟槽中填充金属，形成多个金属遮蔽侧墙，所述金属遮蔽侧墙的顶面等于或者高于所述滤光片的表面。
7.如权利要求6所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，在所述半导体基底的背面形成滤光片层之前，还包括：
在所述半导体基底的背面形成二氧化硅层。
8.如权利要求7所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，刻蚀所述滤光片层的同时，刻蚀所述二氧化硅层，以露出部分半导体基底的背面。
9.一种背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底，所述半导体基底包括正面及背面；
在所述半导体基底的背面形成金属层；
刻蚀所述金属层，露出部分半导体基底的背面，形成多个金属遮蔽侧墙并在相邻两个金属遮蔽侧墙之间形成沟槽；
在所述沟槽中填充滤光材料，形成多片滤光片，所述滤光片的表面等于或者低于所述金属遮蔽侧墙的顶面。
10.如权利要求9所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，在所述沟槽中填充滤光层之前，还包括：
在所述沟槽中填充二氧化硅材料，形成二氧化硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
