[发明专利]背照式CMOS影像传感器及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及影像传感器技术领域，特别涉及一种背照式CMOS影像传感器及其制造方法。

背景技术

影像传感器是在光电技术基础上发展起来的，所谓影像传感器，就是能够感受光学图像信息并将其转换成可用输出信号的传感器。影像传感器可以提高人眼的视觉范围，使人们看到肉眼无法看到的微观世界和宏观世界，看到人们暂时无法到达处发生的事情，看到超出肉眼视觉范围的各种物理、化学变化过程，生命、生理、病变的发生发展过程，等等。可见影像传感器在人们的文化、体育、生产、生活和科学研究中起到非常重要的作用。可以说，现代人类活动已经无法离开影像传感器了。

影像传感器可依据其采用的原理而区分为电荷耦合装置（Charge-Coupled Device）影像传感器（亦即俗称CCD影像传感器）以及CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）影像传感器，其中CMOS影像传感器即基于互补型金属氧化物半导体（CMOS）技术而制造。由于CMOS影像传感器是采用传统的CMOS电路工艺制作，因此可将影像传感器以及其所需要的外围电路加以整合，从而使得CMOS影像传感器具有更广的应用前景。

按照接收光线的位置的不同，CMOS影像传感器可以分为前照式CMOS影像传感器及背照式CMOS影像传感器，其中，背照式CMOS影像传感器与前照式CMOS影像传感器相比，最大的优化之处就是将元件内部的结构改变了，即将感光层的元件入射光路调转方向，让光线能从背面直射进去，避免了在前照式CMOS影像传感器结构中，光线会受到金属连线等结构的影响，提高了光线接收的效能。

但是，现有的背照式CMOS影像传感器仍存在一些问题，例如现有的背照式CMOS影像传感器存在比较明显的串扰问题。因此，解决现有的背照式CMOS影像传感器的串扰问题，提高背照式CMOS影像传感器的质量，是本领域技术人员一直以来的追求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种背照式CMOS影像传感器及其制造方法，以解决在现有的背照式CMOS影像传感器中，存在影像传感器的串扰问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种背照式CMOS影像传感器，所述背照式CMOS影像传感器包括：

半导体基底，所述半导体基底包括正面及背面；

所述半导体基底的背面形成有多片滤光片；

每相邻两片滤光片之间形成有金属遮蔽侧墙，所述金属遮蔽侧墙的顶面等于或者高于所述滤光片的表面。

可选的，在所述的背照式CMOS影像传感器中，所述金属遮蔽侧墙为铝金属遮蔽侧墙或者钨金属遮蔽侧墙。

可选的，在所述的背照式CMOS影像传感器中，每片滤光片表面形成有微透镜。

可选的，在所述的背照式CMOS影像传感器中，所述半导体基底中形成有多个光电二极管，所述多个光电二极管靠近所述半导体基底的背面，每一光电二极管与一滤光片对应。

可选的，在所述的背照式CMOS影像传感器中，每一滤光片及半导体基底的背面之间形成有二氧化硅层。

本发明还提供一种背照式CMOS影像传感器的制造方法，所述背照式CMOS影像传感器的制造方法包括：

提供半导体基底，所述半导体基底包括正面及背面；

在所述半导体基底的背面形成滤光片层；

刻蚀所述滤光片层，露出部分半导体基底的背面，形成多片滤光片并在相邻的两片滤光片之间形成沟槽；

在所述沟槽中填充金属，形成多个金属遮蔽侧墙，所述金属遮蔽侧墙的顶面等于或者高于所述滤光片的表面。

可选的，在所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法中，在所述半导体基底的背面形成滤光片层之前，还包括：

在所述半导体基底的背面形成二氧化硅层。

可选的，在所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法中，刻蚀所述滤光片层的同时，刻蚀所述二氧化硅层，以露出部分半导体基底的背面。

本发明还提供一种背照式CMOS影像传感器的制造方法，所述背照式CMOS影像传感器的制造方法包括：

提供半导体基底，所述半导体基底包括正面及背面；

在所述半导体基底的背面形成金属层；

刻蚀所述金属层，露出部分半导体基底的背面，形成多个金属遮蔽侧墙并在相邻两个金属遮蔽侧墙之间形成沟槽；

在所述沟槽中填充滤光材料，形成多片滤光片，所述滤光片的表面等于或者低于所述金属遮蔽侧墙的顶面。