[发明专利]任意K值和8值DRAM的写入电路和读出电路有效
申请号: | 201310211023.2 | 申请日: | 2011-04-19 |
公开(公告)号: | CN103345936A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 方振贤;刘莹 | 申请(专利权)人: | 黑龙江大学 |
主分类号: | G11C11/4096 | 分类号: | G11C11/4096 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150080 黑龙江省哈尔滨*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 任意 dram 写入 电路 读出 | ||
1.一种任意K值DRAM的写入电路,其特征在于:所述的K值DRAM的写入电路中,设K=3,4,5,……;采用K-1=L个变阈型PMOS管Qak,k=1,2,3,……,L,管Qak的栅极经变阈电路连接到写入电路的输入Dinj,变阈型PMOS管Qak的新阈值为tak,管Qak导通时源极漏极间压降为0;管Qak的源极接电源Vdd,选取Vdd的电压比写入电路输入和读出电路输出的最大逻辑电平VDinj(L)和VDouj(L)高Δ,Δ是电压跟随器F输入输出间向下的直流电平偏移;采用L-1个二极管Dan,n=2,3,……,L,二极管Dan的导通电压是VDon;Dan的正极和负极分别连接到变阈型PMOS管Qan-1的漏极和管Qan的漏极;管QaL的漏极经过恒流源Ij接地,管QaL的漏极接恒流源Ij使流经导通二极管的电流保持同一固定值,在管QaL的漏极形成写入电路的输出Gwrij,写入电路输出Gwrij接到存储单元电路的写位线输入;选取tak为写入电路输入Dinj的K值信号的相邻逻辑电平VDinj(k)和VDinj(k-1)的平均值(VDinj(k)+VDinj(k-1))/2,即tak为VDinj(k)和VDinj(k-1)的中间值,VDinj(k)>VDinj(k-1);写入电路输入Dinj的K值信号和读出电路输出Doutj及DRAM输入输出的规范的等阶梯的K值信号的特性是相同的:输入Dinj各相邻逻辑电平的差相等,输出Doutj各相邻逻辑电平的差相等,且输入Dinj和输出Doutj的阶梯电压相同,阶梯电压为VDon,也即满足VDinj(m)-VDinj(m-1)=VDoutj(m)-VDoutj(m-1)=VDon,m=1,2,3,……,L,VDinj(m)和VDoutj(m)分别是写入电路输入和读出电路输出逻辑值为m的逻辑电平;写入电路的输出Gwrij除0电平外比写入电路输入的K值信号高Δ,0电平仍为0,该K值写入电路又称为K值写入增高电路。
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