[发明专利]一种低压保护电路在审
| 申请号： | 201310211112.7 | 申请日： | 2013-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN104218521A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;管伟芳 | 申请（专利权）人： | 深圳市海洋王照明工程有限公司;海洋王照明科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/24 | 分类号： | H02H3/24 |
| 代理公司： | 深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232 | 代理人： | 刘抗美;周惠来 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低压 保护 电路 | ||
1.一种低压保护电路，其特征在于，包括：一低压取样电阻、一高压取样电阻、一第三电阻、一滤波电容、一P沟道增强型MOS管、一NPN型三极管、一稳压二极管以及一二极管；
所述P沟道增强型MOS管的源极耦接输入电源、所述低压取样电阻的一端以及所述高压取样电阻的一端；
所述P沟道增强型MOS管的漏极耦接电压输出端；
所述P沟道增强型MOS管的栅极耦接所述NPN型三极管的集电极以及所述高压取样电阻的另一端；
所述低压取样电阻的另一端耦接所述稳压二极管的负极和所述滤波电容的一端；
所述滤波电容的另一端接地；
所述稳压二极管的正极耦接所述二极管的正极；
所述二极管的负极耦接所述NPN型三极管的基极以及所述第三电阻的一端；
所述第三电阻的另一端接地，所述NPN型三极管的发射极接地。
2.如权利要求1所述的低压保护电路，其特征在于：所述滤波电容的接地端和所述P沟道增强型MOS管的源极之间还耦接一低压保护电路外部的极性电容。
3.如权利要求2所述的低压保护电路，其特征在于：所述极性电容的正极耦接所述P沟道增强型MOS管的源极，负极接地。
4.如权利要求3所述的低压保护电路，其特征在于：所述输入电源与所述P沟道增强型MOS管的源极之间还耦接一桥式整流电路。
5.如权利要求4所述的低压保护电路，其特征在于：所述输入电源为交流电源。
6.如权利要求5所述的低压保护电路，其特征在于：所述低压取样电阻的取样电压取自经过所述桥式整流电路整流后的输入电源，当所述取样电压经所述低压取样电阻、滤波电容滤波后，所述取样电压小于所述稳压二极管的击穿电压值加上所述二极管的导通电压和所述NPN型三极管的基极至发射极的压降的总和时，所述NPN型三极管截止，则所述P沟道增强型MOS管也被截止。
7.如权利要求3所述的低压保护电路，其特征在于：所述输入电源为直流电源。
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