[发明专利]一种低压保护电路

说明书

技术领域

本发明涉及保护电路领域，特别涉及一种对工作电压范围有限制的电子产品的低压保护电路。

背景技术

目前很多电子产品需要外接电源，产品对外接的电源电压范围都会有严格的要求，不能超过电压范围使用。但如果用户不清楚、或没有严格按要求使用或外界电网电压突然变高，如外接电源电压过低就会损坏产品，产生不可预知的危险。为此提出电源低压输入保护电路，此电路保护响应速度快且精准可靠。

有鉴于此，发明人提供了一种低压保护电路。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明提供了一种低压保护电路，克服了现有技术的困难，能够在过低压时自动切断电源，保护产品及人身的安全，而且由于全部采用分立式器件组成，无需集成电路，可降低产品成本，节省印刷电路板的空间；本发明电路简单可高靠，门限电压设置方便。

根据本发明的一个方面，提供一种低压保护电路，包括：一低压取样电阻、一高压取样电阻、一第三电阻、一滤波电容、一P沟道增强型MOS管、一NPN型三极管、一稳压二极管以及一二极管；

所述P沟道增强型MOS管的源极耦接输入电源、所述低压取样电阻的一端以及所述高压取样电阻的一端；

所述P沟道增强型MOS管的漏极耦接电压输出端；

所述P沟道增强型MOS管的栅极耦接所述NPN型三极管的集电极以及所述高压取样电阻的另一端；

所述低压取样电阻的另一端耦接所述稳压二极管的负极和所述滤波电容的一端；

所述滤波电容的另一端接地；

所述稳压二极管的正极耦接所述二极管的正极；

所述二极管的负极耦接所述NPN型三极管的基极以及所述第三电阻的一端；

所述第三电阻的另一端接地，所述NPN型三极管的发射极接地。

优选地，所述滤波电容的接地端和所述P沟道增强型MOS管的源极之间还耦接一低压保护电路外部的极性电容。

优选地，所述极性电容的正极耦接所述P沟道增强型MOS管的源极，负极接地。

优选地，所述输入电源与所述P沟道增强型MOS管的源极之间还耦接一桥式整流电路。

优选地，所述输入电源为交流电源。

优选地，所述低压取样电阻的取样电压取自经过所述桥式整流电路整流后的输入电源，当所述取样电压经所述低压取样电阻、滤波电容滤波后，所述取样电压小于所述稳压二极管的击穿电压值加上所述二极管的导通电压和所述NPN型三极管的基极至发射极的压降的总和时，所述NPN型三极管截止，则所述P沟道增强型MOS管也被截止。

优选地，所述输入电源为直流电源。

与现有技术相比，由于使用了以上技术，本发明的低压保护电路能够在过低压时自动切断电源，保护产品及人身的安全，而且由于全部采用分立式器件组成，无需集成电路，可降低产品成本，节省印刷电路板的空间；本发明电路简单可高靠，门限电压设置方便。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1示出根据本发明的一个具体实施方式的，本发明的低压保护电路的电路图。

附图标记

1      低压取样电阻

2      高压取样电阻

3      第三电阻

4      滤波电容

5      P沟道增强型MOS管

6      NPN型三极管

7      稳压二极管

8      二极管

10     电压输出端

11     桥式整流电路

12     输入电源

13     极性电容

100    低压保护电路

具体实施方式

本领域技术人员理解，本领域技术人员结合现有技术以及上述实施例可以实现变化例，在此不予赘述。这样的变化例并不影响本发明的实质内容，在此不予赘述。