[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201310211125.4 | 申请日: | 2013-05-30 |
公开(公告)号: | CN103309095A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 崔承镇;金熙哲;宋泳锡;刘聖烈 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括栅线、数据线以及所述栅线和所述数据线交叉限定的像素区域,所述像素区域包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极以及漏极;其特征在于,所述像素区域还包括:
衬底基板;间隔设置在衬底基板上的凸起物;
第一电极层,所述第一电极层包括至少一个电连接的第一电极条,所述第一电极条设置在所述凸起物的间隙中;
第二电极层,所述第二电极层包括至少一个电连接的第二电极条,所述第二电极条设置在所述凸起物上方。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述衬底基板上的凸起物是等间距设置的。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述凸起物的材料为透明树脂材料,且所述凸起物的厚度大于所述第一电极层的厚度。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的阵列基板,其特征在于,每个所述凸起物的间隙内都设置有所述第一电极条,每个所述凸起物的上方都设置有所述第二电极条。
5.根据权利要求1-3任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述栅绝缘层设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间;
所述第一电极层通过所述栅绝缘层上的过孔与所述漏极连接。
6.根据权利要求1-3任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括钝化层,所述栅绝缘层设置在所述第一电极层的下方,所述钝化层设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间;
所述第一电极层直接与所述漏极连接。
7.根据权利要求1-3任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括钝化层,所述钝化层设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间;
所述第二电极层通过钝化层上的过孔与所述漏极连接。
8.根据权利要求1-3任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括钝化层,所述栅绝缘层设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间,所述钝化层设置在所述第二电极层的上方;
所述第二电极层直接连接所述漏极。
9.一种阵列基板的制作方法,包括在所述阵列基板上制作栅线、数据线以及薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极以及漏极;其特征在于,所述阵列基板的制作方法还包括:
在衬底基板上制作间隔设置的凸起物;
在基板上制作第一透明导电薄膜,并在制作有所述第一透明导电薄膜的基板上涂敷第一光刻胶;
对所述第一光刻胶进行灰化处理,形成第一光刻胶图案,所述第一光刻胶图案只覆盖所述凸起物的间隙;
进行刻蚀工艺,除去所述第一光刻胶图案未覆盖的第一透明导电薄膜;
进行光刻胶剥离工艺,将所述第一光刻胶图案剥离,从而形成包括至少一个电连接的第一电极条的第一电极层;
在形成有所述第一电极层的基板上制作绝缘层;
在制作有所述绝缘层的基板上涂敷第二光刻胶,对所述光刻胶进行灰化处理,形成第二光刻胶图案,所述第二光刻胶图案只覆盖所述凸起物的间隙;
在所述形成有第二光刻胶图案的基板上制作第二透明导电薄膜,然后通过光刻胶剥离工艺,去除所述第二光刻胶图案以及位于所述第二光刻胶图案上的第二透明导电薄膜,从而形成包括多个电连接的第二电极条的第二电极层。
10.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于,
所述绝缘层包括栅绝缘层或钝化层中的至少一个;
制作成的所述第一电极层与所述漏极连接,或制作成的所述第二电极层与所述漏极连接。
11.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于,制作在衬底基板上的凸起物是等间距的。
12.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述凸起物的材料为透明树脂材料,且所述凸起物的厚度大于所述第一电极层的厚度。
13.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
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