[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

现有技术中常见的液晶显示装置主要有AD-SDS(Advanced-Super Dimensional Switching，简称为ADS，高级超维场开关)型、IPS(In Plane Switch，横向电场效应)型以及TN(Twist Nematic，扭曲向列)型。其中，ADS型显示装置通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换。

现有的ADS型显示装置中由于像素电极和公共电极的重叠面积大且间距小，从而导致存储电容Cst非常大，因此在设计时会受到很多限制。目前为了解决Cst过大的问题，通常都采取像素电极和公共电极交错排列的方式，但一般情况下，由于像素电极和公共电极均采用透明电极材料制成交错排列的方式非常要求曝光工艺的精确度，这样无疑会增加设备以及工艺控制的难度和成本。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，可以降低制作成本和制作工艺的难度。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种阵列基板，包括栅线、数据线以及所述栅线和所述数据线交叉限定的像素区域，所述像素区域包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极以及漏极；所述像素区域还包括：

衬底基板；间隔设置在衬底基板上的凸起物；

第一电极层，所述第一电极层包括至少一个电连接的第一电极条，所述第一电极条设置在所述凸起物的间隙中；

第二电极层，所述第二电极层包括至少一个电连接的第二电极条，所述第二电极条设置在所述凸起物上方。

优选的，所述衬底基板上的凸起物是等间距设置的。

优选的，所述凸起物的材料为透明树脂材料，且所述凸起物的厚度大于所述第一电极层的厚度。

优选的，每个所述凸起物的间隙内都设置有所述第一电极条，每个所述凸起物的上方都设置有所述第二电极条。

可选的，所述栅绝缘层设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间；

所述第一电极层通过所述栅绝缘层上的过孔与所述漏极连接。

可选的，所述阵列基板还包括钝化层，所述栅绝缘层设置在所述第一电极层的下方，所述钝化层设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间；

所述第一电极层直接与所述漏极连接。

可选的，所述阵列基板还包括钝化层，所述钝化层设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间；

所述第二电极层通过钝化层上的过孔与所述漏极连接。

可选的，所述阵列基板还包括钝化层，所述栅绝缘层设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间，所述钝化层设置在所述第二电极层的上方；

所述第二电极层直接连接所述漏极。

一种阵列基板的制作方法，包括在所述阵列基板上制作栅线、数据线以及薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极以及漏极；其特征在于，所述阵列基板的制作方法还包括：

在衬底基板上制作间隔设置的凸起物；

在基板上制作第一透明导电薄膜，并在制作有所述第一透明导电薄膜的基板上涂敷第一光刻胶；

对所述第一光刻胶进行灰化处理，形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案只覆盖所述凸起物的间隙；

进行刻蚀工艺，除去所述第一光刻胶图案未覆盖的第一透明导电薄膜；

进行光刻胶剥离工艺，将所述第一光刻胶图案剥离，从而形成包括至少一个电连接的第一电极条的第一电极层；

在形成有所述第一电极层的基板上制作绝缘层；

在制作有所述绝缘层的基板上涂敷第二光刻胶，对所述光刻胶进行灰化处理，形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案只覆盖所述凸起物的间隙；

在所述形成有第二光刻胶图案的基板上制作第二透明导电薄膜，然后通过光刻胶剥离工艺，去除所述第二光刻胶图案以及位于所述第二光刻胶图案上的第二透明导电薄膜，从而形成包括多个电连接的第二电极条的第二电极层。

可选的，所述绝缘层包括栅绝缘层或钝化层中的至少一个；

制作成的所述第一电极层与所述漏极连接，或制作成的所述第二电极层与所述漏极连接。

优选的，制作在衬底基板上的凸起物是等间距的。

优选的，所述凸起物的材料为透明树脂材料，且所述凸起物的厚度大于所述第一电极层的厚度。