[发明专利]单元节距可控的植球装置及植球方法有效
申请号: | 201310211762.1 | 申请日: | 2013-05-31 |
公开(公告)号: | CN103295919A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 刘江涛 | 申请(专利权)人: | 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张云珠;戴嵩玮 |
地址: | 215021 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单元 可控 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种焊球附着工具及其控制方法,更具体地说,涉及一种单元节距可控的焊球附着工具及其控制方法。
背景技术
在现有技术中,印刷电路板(PCB)/电磁兼容性(EMC)芯片材料在封装过程中由于热膨胀系数不匹配,在后固化之后,印刷电路板/电磁兼容性芯片材料膨胀,导致将要封装的结构中,单元节距发生变化。
当利用相同的封装布局组装不同的装置时,由于封装件单元节距不同,所以实际的单元节距变化值不同,在封装件的单元节距中产生很大的差值。当进行焊锡球附着时,在不同单元节距的封装件制造过程中发生严重故障,例如,漏掉焊锡球、双焊锡球等。另外,即使设定的封装单元节距值相同,具有不同封装结构和封装组件材料的封装件中,随着热加工成型过程的单元节距变化值也不相同,因此,具有不同封装结构和封装组件材料的每个封装件仍相应地需要一个与其匹配的固定的焊锡球附着工具。
发明内容
本发明的一方面在于提供一种焊球附着工具,该焊球附着工具的单元节距可控,以方便地利用该植球装置封装单元节距值不同的封装件。
本发明的另一方面在于提供一种植球方法,该植球方法可以使焊球附着工具的单元节距可控地变化,以适于单元节距、封装结构以及封装组件材料不同的封装件的焊球附着,极大地节省了成本并且节约了时间。
根据本发明的一方面,提供了一种植球装置,该植球装置包括:主体,包括连接部分、多个第一凸块、与多个第一凸块交叉地布置的多个第二凸块、以及位于彼此相邻的第二凸块之间和位于相邻的第一凸块和第二凸块之间的多个插入孔,第一凸块与第二凸块从连接部分向下突出,插入孔形成在连接部分中,第一凸块内部具有均匀分布的多个第一通孔,第二凸块内部具有第二通孔;吸附杆,设置在主体上方并且具有连接杆和从连接杆向下突出的多个吸附管,连接杆和吸附管在内部相互连通,多个吸附管分别插入到多个插入孔中,以在抽真空时吸附焊球或在卸掉真空时进行植球;多个加热部件,设置在位于所述多个第一凸块中的多个第一通孔中;检测部件,设置在位于第二凸块中的第二通孔中,用于检测主体的温度数据或者检测主体的单元节距数据和目标植球区域的单元节距数据;以及控制部件,与检测部件和加热部件连接并设置为与检测部件一起控制植球操作,控制部件根据检测部件检测到的数据控制植球装置的操作,其中,所述多个加热部件对主体和吸附杆进行加热以使连接部分和连接杆均匀变形,以调节植球装置的单元节距,控制部件根据检测部件检测到的数据控制加热部件的加热,以对所述植球装置的单元节距进行调节。
第一凸块的横截面积可以大于第二凸块的横截面积,第一凸块和第二凸块之间的空间形成为抽真空孔,所述抽真空孔与吸附杆的连接杆的位置相对应,并与插入孔连通。
相邻的两个第一凸块之间可以设置有至少一个第二凸块。
加热部件可以包括外壁和电加热丝,电加热丝设置在外壁的内部。
主体、吸附杆和加热部件的外壁可以由相同的材料形成。
主体、吸附杆和加热部件的外壁可以由不锈钢加工制成。
检测部件可以包括温度传感器和位移传感器中的至少一种。
根据本公开的另一方面,可以提供一种利用上述植球装置进行植球的方法,所述植球方法包括:(a)、准备植球区域,所述植球区域的单元节距与植球装置的主体的单元节距不同;(b)、操作控制部件,控制部件根据所述植球区域的单元节距设定加热部件所要加热到的温度;(c)、运行加热部件,以加热主体和吸附杆,同时运行检测部件,以测量升温后主体和吸附杆的温度或者植球装置的单元节距和目标植球区域的单元节距,并将测量结果反馈给控制部件,直到主体的实际温度与设定的温度相同或者直到植球主体的单元节距与所述植球区域的单元节距相同,保持加热部件的加热使主体和吸附杆的温度恒定;(d)、利用吸附管进行抽真空,通过主体内的低压吸附焊球;(e)、将吸附的焊球对准所述植球区域,卸真空,同时利用吸附管将焊球推到所述植球区域,完成植球。
附图说明
通过下面结合附图对示例性实施例的详细描述,本发明的上述和其他目的和特点将会变得更加清楚,其中:
图1是根据本发明的实施例的植球装置的剖视图;
图2是根据本发明的实施例的植球装置吸附焊球时的剖视图;
图3是根据本发明的实施例的植球装置中的加热部件的内部结构的剖视图;
图4是示出了使用根据本发明的实施例的植球装置进行植球的对比性示例的操作图;
图5是示出了使用根据本发明的实施例的植球装置进行植球的示例性实施例的操作图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造