[发明专利]蓄电装置用负极及蓄电装置有效

专利信息
申请号: 201310212001.8 申请日: 2013-05-31
公开(公告)号: CN103456919B 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 井上信洋;木村佳;片庭佐智子;田岛亮太 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01M4/13 分类号: H01M4/13;H01M4/36;H01M4/04;H01G11/06;H01G11/26;H01G11/50;H01G11/86
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 侯颖媖
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 装置 负极
【权利要求书】:

1.一种负极,包括:

集流体;

所述集流体上的活性物质层,该活性物质层包括活性物质的粒子和第一膜;以及

覆盖所述粒子和所述第一膜的第二膜,

其中,所述第一膜包含第一无机材料,

所述第二膜包含有机材料及第二无机材料,

所述粒子的表面的一部分接触于所述第一膜,

所述粒子的所述表面的其他部分及所述第一膜的表面的一部分接触于所述第二膜,

并且,所述第一无机材料与所述第二无机材料彼此不同。

2.一种负极,包括:

集流体;

所述集流体上的活性物质层,该活性物质层包括多个活性物质的粒子、第一膜及石墨烯;以及

覆盖所述多个活性物质的粒子和所述第一膜的第二膜,

其中,所述第一膜包含第一无机材料,

所述第二膜包含有机材料及第二无机材料,

所述粒子的每一个的表面的一部分接触于所述第一膜,

所述粒子的每一个的所述表面的其他部分及所述第一膜的表面的一部分接触于所述第二膜,

所述第一无机材料与所述第二无机材料彼此不同,

并且,所述石墨烯覆盖所述多个活性物质的粒子的一部分。

3.根据权利要求1或2所述的负极,其中,所述活性物质是石墨。

4.根据权利要求1或2所述的负极,其中,所述第一无机材料是选自铌、钛、钒、钽、钨、锆、钼、铪、铬、铝和硅中的一种的氧化物、或者包含上述元素中的一种和锂的氧化物。

5.根据权利要求1或2所述的负极,其中,所述第一无机材料包含Nb2O5

6.根据权利要求1或2所述的负极,其中,所述第二无机材料是选自锂、钠、钾、钙、锶、钡、铍和镁中的任一个的元素的氟化物、碳酸盐、氧化物和氢氧化物中的任一个。

7.根据权利要求1或2所述的负极,其中,所述第二无机材料是氟化锂、碳酸锂、氧化锂和氢氧化锂中的任一个。

8.根据权利要求1或2所述的负极,其中,所述第一膜具有5nm以上且50nm以下的厚度。

9.一种蓄电装置,包括根据权利要求1或2所述的负极。

10.一种负极的制造方法,包括如下步骤:

在活性物质的表面的一部分上形成包含第一无机材料的第一膜;

在集流体上形成活性物质层,该活性物质层包括所述活性物质及形成在所述活性物质上的所述第一膜;以及

在形成所述活性物质层之后,在所述活性物质层的表面上形成包含有机材料及第二无机材料的第二膜,使得所述第二膜接触并覆盖所述活性物质的所述表面的其他部分以及所述第一膜的表面的一部分。

11.根据权利要求10所述的负极的制造方法,其中,所述活性物质是石墨。

12.根据权利要求10所述的负极的制造方法,其中,所述第一无机材料是选自铌、钛、钒、钽、钨、锆、钼、铪、铬、铝和硅中的一种的氧化物、或者包含上述元素中的一种和锂的氧化物。

13.根据权利要求10所述的负极的制造方法,其中,所述第二无机材料是选自锂、钠、钾、钙、锶、钡、铍和镁中的任一个的元素的氟化物、碳酸盐、氧化物和氢氧化物中的任一个。

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