[发明专利]TFT阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供半成品基板，所述半成品基板包括基板，位于所述基板表面的栅极线，覆盖所述基板表面和所述栅极线的栅极保护层，位于所述栅极保护层表面上的TFT、信号线和共通线，及覆盖所述TFT、信号线和共通线的钝化层；

在所述钝化层表面上形成保护层，所述保护层内具有贯穿所述保护层的通孔，所述通孔位于待形成栅极线接触孔位置处；

以所述保护层为掩膜，去除所述待形成栅极线接触孔位置处第一预设厚度的待去除层，所述待去除层为所述栅极线上方的、待形成栅极线接触孔位置处的栅极保护层和钝化层；

去除待形成信号线接触孔位置处的保护层，然后同时去除待形成栅极线接触孔位置处的待去除层和待形成信号线接触孔位置处的钝化层，形成栅极线接触孔和信号线接触孔。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述钝化层表面上形成保护层，所述保护层内具有贯穿所述保护层的通孔，所述通孔位于待形成栅极线接触孔位置，具体包括：

在所述钝化层表面上形成光刻胶层；

将半灰阶掩膜置于所述光刻胶层的表面上，使所述半灰阶掩膜的全透过区位于待形成栅极线接触孔位置处，所述半灰阶掩膜的半透过区位于待形成信号线接触孔位置处；

对所述光刻胶层进行曝光和显影，去除所述待形成栅极线接触孔位置处的光刻胶层，以暴露所述待形成栅极线接触孔位置处的钝化层，去除所述待形成信号线接触孔位置处的部分光刻胶层，以使所述待形成信号线接触孔位置处有第二预设厚度的光刻胶层遮盖，将显影后的光刻胶层作为保护层。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述钝化层表面上形成光刻胶层与所述将半灰阶掩膜置于所述光刻胶层的表面上之间，还包括：

通过实验测试得到所述钝化层与光刻胶层的刻蚀速率；

根据待形成栅极线接触孔位置处的待去除层的厚度与待形成信号线接触孔位置处的钝化层的厚度，计算得到第一预设厚度；

根据所述钝化层的刻蚀速率与所述第一预设厚度，计算得到预设时间；

根据所述预设时间与所述光刻胶层的刻蚀速率，计算得到最小厚度，根据所述最小厚度选择第二预设厚度，所述第二预设厚度大于或等于所述最小厚度；

根据所述第二预设厚度与所述光刻胶层的厚度，计算得到半灰阶掩膜的半透过区的透过率，并根据所述透过率选择相应的半灰阶掩膜。

4.根据权利要求1～3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述去除待形成信号线接触孔位置处的保护层的过程具体为：采用氧气灰化的方法去除待形成信号线接触孔位置处的保护层，以暴露所述信号线上方的钝化层。

5.根据权利要求1～3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述去除所述待形成栅极线接触孔位置处第一预设厚度的待去除层的过程具体为：采用溅射工艺、等离子体刻蚀工艺或反应离子刻蚀工艺中的任意一种工艺去除预设厚度的所述待形成栅极线接触孔位置处的待去除层。

6.根据权利要求1～3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述同时去除待形成栅极线接触孔位置处的待去除层和待形成信号线接触孔位置处的钝化层，形成栅极线接触孔和信号线接触孔的过程具体为：采用溅射工艺、等离子体刻蚀工艺或反应离子刻蚀工艺中的任意一种工艺同时去除待形成栅极线接触孔位置处的待去除层和待形成信号线接触孔位置处的钝化层，形成栅极线接触孔和信号线接触孔。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，当所述栅极保护层的厚度大于所述钝化层的厚度时，所述第一预设厚度大于所述钝化层的厚度，所述第一预设厚度的待去除层为所述栅极线上方的、待形成栅极线接触孔位置处的全部钝化层和部分栅极保护层。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，当所述栅极保护层的厚度等于所述钝化层的厚度时，所述第一预设厚度等于所述钝化层的厚度，所述第一预设厚度的待去除层为所述栅极线上方的、待形成栅极线接触孔位置处的全部钝化层。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，当所述栅极保护层的厚度小于所述钝化层的厚度时，所述第一预设厚度小于所述钝化层的厚度，所述第一预设厚度的待去除层为所述栅极线上方的、待形成栅极线接触孔位置处的部分钝化层。