[发明专利]TFT阵列基板的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及TFT液晶显示器制作技术领域，更具体地说，涉及一种TFT阵列基板的制作方法。

背景技术

TFT（Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管）液晶显示器相对于传统的液晶显示器，以其高清晰度、真彩显示效果等优点，成为目前液晶显示器的主流发展方向。

TFT液晶显示器包括用于显示画面的液晶显示面板和用于向液晶显示面板提供信号的电路部分。TFT液晶显示面板主要由TFT阵列基板、CF基板及位于二者之间的液晶层构成。TFT阵列基板上具有多个矩阵式排列的像素区域，这些像素区域是由多条栅极线和多条信号线交叉构成的。每个像素区域上均有一个像素电极和一个TFT，每个像素电极与对应的一个TFT的漏极电性连接，同一行TFT的栅极与一条栅极线电性连接，同一列TFT的源极与一条信号线电性连接。

TFT阵列基板的制作过程大致可分为以下几个步骤：

步骤A：提供基板，并在所述基板表面上形成栅极线；

步骤B：在所述栅极线和基板表面上淀积栅极保护层，并在所述栅极保护层上淀积非晶硅，以形成硅岛；

步骤C：在所述硅岛和栅极保护层表面上形成信号线和源极、漏极、共通线，其中，所述硅岛、源极和漏极共同构成TFT；

步骤D：在所述信号线、源极、漏极、共通线表面上淀积钝化层，在所述钝化层内形成漏极接触孔、栅极线接触孔和信号线接触孔，以暴露出所述漏极、栅极线和信号线；

步骤E：在所述钝化层表面上形成像素电极，所述像素电极通过所述接触孔将所述漏极电性连接。

但是，现有的制作方法所制作的TFT阵列基板极易被腐蚀，进而导致液晶显示器无法正常显示。

发明内容

本发明提供了一种TFT阵列基板的制作方法，以提高TFT阵列基板的抗腐蚀能力。

为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案：

一种TFT阵列基板的制作方法，提供半成品基板，所述半成品基板包括基板，位于所述基板表面的栅极线，覆盖所述基板表面和所述栅极线的栅极保护层，位于所述栅极保护层表面上的TFT、信号线和共通线，及覆盖所述TFT、信号线和共通线的钝化层；

在所述钝化层表面上形成保护层，所述保护层内具有贯穿所述保护层的通孔，所述通孔位于待形成栅极线接触孔位置处；

以所述保护层为掩膜，去除所述待形成栅极线接触孔位置处第一预设厚度的待去除层，所述待去除层为所述栅极线上方的、待形成栅极线接触孔位置处的栅极保护层和钝化层；

去除待形成信号线接触孔位置处的保护层，然后同时去除待形成栅极线接触孔位置处的待去除层和待形成信号线接触孔位置处的钝化层，形成栅极线接触孔和信号线接触孔。

优选的，所述在所述钝化层表面上形成保护层，所述保护层内具有贯穿所述保护层的通孔，所述通孔位于待形成栅极线接触孔位置，具体包括：

在所述钝化层表面上形成光刻胶层；

将半灰阶掩膜置于所述光刻胶层的表面上，使所述半灰阶掩膜的全透过区位于待形成栅极线接触孔位置处，所述半灰阶掩膜的半透过区位于待形成信号线接触孔位置处；

对所述光刻胶层进行曝光和显影，去除所述待形成栅极线接触孔位置处的光刻胶层，以暴露所述待形成栅极线接触孔位置处的钝化层，去除所述待形成信号线接触孔位置处的部分光刻胶层，以使所述待形成信号线接触孔位置处有第二预设厚度的光刻胶层遮盖，将显影后的光刻胶层作为保护层。

优选的，所述在所述钝化层表面上形成光刻胶层与所述将半灰阶掩膜置于所述光刻胶层的表面上之间，还包括：

通过实验测试得到所述钝化层与光刻胶层的刻蚀速率；

根据待形成栅极线接触孔位置处的待去除层的厚度与待形成信号线接触孔位置处的钝化层的厚度，计算得到第一预设厚度；

根据所述钝化层的刻蚀速率与所述第一预设厚度，计算得到预设时间；

根据所述预设时间与所述光刻胶层的刻蚀速率，计算得到最小厚度，根据所述最小厚度选择第二预设厚度，所述第二预设厚度大于或等于所述最小厚度；

根据所述第二预设厚度与所述光刻胶层的厚度，计算得到半灰阶掩膜的半透过区的透过率，并根据所述透过率选择相应的半灰阶掩膜。

优选的，所述去除待形成信号线接触孔位置处的保护层的过程具体为：采用氧气灰化的方法去除待形成信号线接触孔位置处的保护层，以暴露所述信号线上方的钝化层。