[发明专利]自对准环绕结构有效
| 申请号： | 201310217498.2 | 申请日： | 2013-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN104143505B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 让-皮埃尔·科林格;江国诚;郭大鹏;卡洛斯·H.·迪亚兹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 环绕 结构 | ||
1.一种制造自对准的垂直围栅器件的方法，包括：
环绕半导体柱从栅极层伸出的暴露部分形成间隔件；
在所述栅极层的被保护部分和所述间隔件的第一部分上方形成光刻胶；
蚀刻掉所述栅极层设置在由所述间隔件和所述光刻胶共同限定的边界的外部的未被保护部分以形成具有底脚部分和非底脚部分的栅极，所述非底脚部分和所述底脚部分共同环绕所述半导体柱；以及
去除所述光刻胶和所述间隔件。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隔件是硬掩模间隔件。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体柱是垂直柱，并且所述栅极层是水平栅极层。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极层是金属栅极层。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隔件具有至少部分为弧形的间隔件边界。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隔件被形成为环形。
7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在氧化物层和半导体层上方形成所述栅极层。
8.一种制造自对准的垂直围栅器件的方法，包括：
在半导体柱的初始暴露部分的周围以及初始氧化物层上方沉积栅极层；
在所述栅极层上方形成附加氧化物层并且平坦化所述附加氧化物层；
实施回蚀工艺，以使所述附加氧化物层和栅极层环绕所述半导体柱的初始暴露部分的一部分凹进；
环绕保持环绕所述半导体柱的初始暴露部分的所述栅极层以及所述半导体柱的随后暴露部分形成间隔件；
在所述栅极层的被保护部分和所述间隔件的第一部分上方形成光刻胶；
蚀刻掉栅极层设置在由所述间隔件和所述光刻胶共同限定的边界的外部的未被保护部分以形成具有底脚部分和非底脚部分的栅极，所述底脚部分和所述非底脚部分共同环绕所述半导体柱；以及
去除所述光刻胶和所述间隔件。
9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：使用化学机械抛光工艺平坦化所述附加氧化物层。
10.一种垂直围栅晶体管，包括：
氧化物层，设置在半导体层上方；
半导体柱，从所述氧化物层中伸出；以及
栅极，设置在所述氧化物层上方，所述栅极具有共同环绕所述半导体柱的底脚部分和非底脚部分。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
