[发明专利]改善原子力纳米探针导电性的方法无效
| 申请号： | 201310217818.4 | 申请日： | 2013-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN103336150A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 李剑;陈强;唐涌耀;黄维 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01Q60/40 | 分类号： | G01Q60/40 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 原子 纳米 探针 导电性 方法 | ||
1.一种改善原子力纳米探针导电性的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：在一导电物质上接触有至少一根或多根被氧化的原子力纳米探针；
步骤2：依次将每根所述被氧化的原子力纳米探针和导电物质间施加电压差，将施加有电压差的所述被氧化的原子力纳米探针的部分氧化物击穿；
步骤3：重复步骤2，直至将施加有电压差的所述被氧化的原子力纳米探针的预定面积的氧化物击穿。
2.根据权利要求1所述的改善原子力纳米探针导电性的方法，其特征在于，所述被氧化的原子力纳米探针施加高电压，所述导电物质接地。
3.根据权利要求1所述的改善原子力纳米探针导电性的方法，其特征在于，在每次步骤2中，施加的所述电压差为相同或不同。
4.根据权利要求3所述的改善原子力纳米探针导电性的方法，其特征在于，施加的所述电压差为2伏-20伏。
5.根据权利要求1所述的改善原子力纳米探针导电性的方法，其特征在于，在每次步骤2中，所述被氧化的原子力纳米探针在施加电压的同时限制电流，所述电流的大小相同或不同。
6.根据权利要求5所述的改善原子力纳米探针导电性的方法，其特征在于，所述电流不大于10毫安。
7.一种改善原子力纳米探针导电性的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤10：在一导电物质上接触有至少两根被氧化的原子力纳米探针；
步骤20：依次将一根所述被氧化的原子力纳米探针和剩余的每根所述被氧化的原子力纳米探针间施加电压差，将施加有电压差的所述被氧化的原子力纳米探针的部分氧化物击穿；
步骤30：重复步骤20，直至将施加有电压差的所述被氧化的原子力纳米探针的预定面积的氧化物击穿。
8.根据权利要求7所述的改善原子力纳米探针导电性的方法，其特征在于，将一根所述被氧化的原子力纳米探针施加高电压，依次将剩余的每根所述被氧化的原子力纳米探针接地。
9.根据权利要求7所述的改善原子力纳米探针导电性的方法，其特征在于，在每次步骤20中，施加的所述电压差为相同或不同。
10.根据权利要求9所述的改善原子力纳米探针导电性的方法，其特征在于，施加的所述电压差为2伏-20伏。
11.根据权利要求1所述的改善原子力纳米探针导电性的方法，其特征在于，在每次步骤20中，所述被氧化的原子力纳米探针在施加电压的同时限制电流，所述电流的大小相同或不同。
12.根据权利要求11所述的改善原子力纳米探针导电性的方法，其特征在于，所述电流不大于10毫安。
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