[发明专利]改善原子力纳米探针导电性的方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体测试技术领域，尤其涉及一种改善原子力纳米探针导电性的方法。

背景技术

在对半导体样品进行失效分析的时候，需要用AFP(原子力纳米探针)1的针尖2接触样品表面，如图1所示的原子力纳米探针的示意图，通过对原子力纳米探针施加电压来对样品加压，样品加压后启动工作产生几百微安的电流，以实现用原子力纳米探针对样品进行测试。

但是原子力纳米探针在空气中很容易被氧化，影响原子力纳米探针的导电性，致使测试的时候原子力纳米探针与样品不能形成良好接触，影响测试结果及原子力纳米探针的使用寿命。由于原子力纳米探针非常精细，其半径只有65纳米左右，无法用常规方法去除原子力纳米探针表面的氧化层，原子力纳米探针被氧化后只能更换，如图2所示的被氧化的原子力纳米探针的示意图，当原子力纳米探针暴露在空气中，原子力纳米探针表面形成了一层氧化层3，从而影响其导电性。

为此，急需提供一种可以有效地改善原子力纳米探针导电性的方法，以保证失效分析样品测试的准确性，以及延长原子力纳米探针的使用寿命。

发明内容

本发明的目的是提供一种改善原子力纳米探针导电性的方法，用以保证进行失效分析时样品测试的准确性，以及延长原子力纳米探针的使用寿命的问题。

为解决上述问题，本发明提供了一种改善原子力纳米探针导电性的方法，包括如下步骤：

步骤1：在一导电物质上接触有至少一根或多根被氧化的的原子力纳米探针；

步骤2：依次将每根所述被氧化的原子力纳米探针和导电物质间施加电压差，将施加有电压差的所述被氧化的原子力纳米探针的部分氧化物击穿；

步骤3：重复步骤2，直至将施加有电压差的所述被氧化的原子力纳米探针的预定面积的氧化物击穿。

进一步的，所述被氧化的原子力纳米探针施加高电压，所述导电物质接地。

进一步的，在每次步骤2中，施加的所述电压差为相同或不同。

进一步的，施加的所述电压差为2伏-20伏。

进一步的，在每次步骤2中，所述被氧化的原子力纳米探针上在施加电压的同时限制电流，所述电流的大小相同或不同。

进一步的，所述电流不大于10毫安。

为解决上述问题，本发明还提供了一种改善原子力纳米探针导电性的方法，包括如下步骤：

步骤10：在一导电物质上接触有至少两根被氧化的原子力纳米探针；

步骤20：依次将一根所述被氧化的原子力纳米探针和剩余的每根所述被氧化的原子力纳米探针间施加电压差，将施加有电压差的所述被氧化的原子力纳米探针的部分氧化物击穿；

步骤30：重复步骤20，直至将施加有电压差的所述被氧化的原子力纳米探针的预定面积的氧化物击穿。

进一步的，将一根所述被氧化的原子力纳米探针施加高电压，依次将剩余的每根所述被氧化的原子力纳米探针接地。

进一步的，在每次步骤20中，施加的所述电压差为相同或不同。

进一步的，施加的所述电压差为2伏-20伏。

进一步的，在每次步骤20中，所述被氧化的原子力纳米探针在施加电压的同时限制电流，所述电流的大小相同或不同。

进一步的，所述电流不大于10毫安。

由以上技术方案可知，本发明公开的改善原子力纳米探针导电性的方法，通过将一根被氧化的原子力纳米探针和导电物质间或两根被氧化的原子力纳米探针间分别施加电压差，将施加有电压差的所述被氧化的原子力纳米探针的部分氧化物击穿，重复上述步骤，直至将施加有电压差的所述被氧化的原子力纳米探针的预定面积的氧化物击穿，从而可以有效地改善原子力纳米探针的导电性，进而保证失效分析时导电物质测试的准确性以及延长了原子力纳米探针的使用寿命。

附图说明

图1为现有技术实施例中的原子力纳米探针的结构示意图；

图2为现有技术实施例中的被氧化的原子力纳米探针的结构示意图；

图3为本发明实施例一中的改善原子力纳米探针导电性的方法的流程示意图；

图4a-4b为图3所示的改善原子力纳米探针导电性的方法的结构示意图之一；

图5a-5e为对3所示的改善原子力纳米探针导电性的方法的结构示意图之二；

图6为本发明实施例二中的改善原子力纳米探针导电性的方法的流程示意图；

图7a-7d为图6所示的改善原子力纳米探针导电性的方法的结构示意图。

具体实施方式