[发明专利]改善半导体器件不同区域关键尺寸差异的方法有效
| 申请号： | 201310221345.5 | 申请日： | 2013-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN103295894A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 高慧慧;秦伟;杨渝书 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/28;H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 半导体器件 不同 区域 关键 尺寸 差异 方法 | ||
1.一种改善半导体器件不同区域关键尺寸差异的方法，应用于多晶硅的厚硬掩膜刻蚀工艺中，其特征在于，所述方法包括：
提供一具有多晶硅层的衬底，且该多晶硅层的上表面覆盖有厚硬掩膜；其中，所述厚硬掩膜包括氮化硅层和氧化硅层，所述氮化硅层覆盖所述多晶硅层的上表面，所述氧化硅层覆盖所述氮化硅层的上表面；
采用各向异性的等离子体对所述氧化硅层进行干法刻蚀，部分去除所述氧化硅层至所述氮化硅层的上表面；
继续采用各向同性的等离子体对所述氮化硅层进行干法刻蚀，以去除暴露的氮化硅层至所述多晶硅层的上表面，于所述多晶硅层的上表面形成掩膜图案。
2.如权利要求1所述的改善半导体器件不同区域关键尺寸差异的方法，其特征在于，所述方法还包括：
于所述厚硬掩膜的上表面涂覆光刻胶，经曝光、显影工艺后，去除多余的光刻胶，形成光阻图案；
以上述的光阻图案为掩膜，采用各向异性的等离子体对所述氧化硅进行干法刻蚀，以部分去除所述氧化硅层至所述氮化硅层的上表面。
3.如权利要求1所述的改善半导体器件不同区域关键尺寸差异的方法，其特征在于，采用含氟和碳的气体经等离子体化工艺后形成所述各向异性的等离子体。
4.如权利要求3所述的改善半导体器件不同区域关键尺寸差异的方法，其特征在于，所述含氟和碳的气体为CH4或CH2F2。
5.如权利要求3所述的改善半导体器件不同区域关键尺寸差异的方法，其特征在于，所述等离子体化工艺包括：采用等离子发生器，在偏压为500V～600V，压强为5mT～6mT的条件下制备所述各向异性的等离子体。
6.如权利要求1所述的改善半导体器件不同区域关键尺寸差异的方法，其特征在于，采用高刻蚀选择比的气体经等离子体化工艺后形成所述各向同性的等离子体。
7.如权利要求6所述的改善半导体器件不同区域关键尺寸差异的方法，其特征在于，所述高刻蚀选择比的气体为CH3F。
8.如权利要求6所述的改善半导体器件不同区域关键尺寸差异的方法，其特征在于，所述等离子体化工艺包括：采用等离子发生器，在偏压为50V～60V，压强为20mT～30mT的条件下制备所述各向同性的等离子体。
9.如权利要求5或8所述的改善半导体器件不同区域关键尺寸差异的方法，其特征在于，选用等离子源功率和偏压功率分离的等离子发生器进行所述等离子体化工艺。
10.如权利要求9所述的改善半导体器件不同区域关键尺寸差异的方法，其特征在于，所述等离子发生器为去耦合的CCP等离子发生器、TCP等离子发生器、ICP等离子发生器中的任意一种。
11.如权利要求1所述的改善半导体器件不同区域关键尺寸差异的方法，其特征在于，所述氧化硅层的材质为SiO2，所述氮化硅的材质为Si3N4；
所述氧化硅层的厚度为不大于所述氮化硅层的厚度为不大于
12.如权利要求1所述的改善半导体器件不同区域关键尺寸差异的方法，其特征在于，所述厚硬掩膜的厚度为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
