[发明专利]半导体检测结构及检测方法

权利要求书

1.一种半导体检测结构，其特征在于，包括：

位于同一半导体衬底上的两个待检测电阻和两个参考电阻，所述待检测电阻的正上方具有同一个与引线键合的金属焊盘，所述参考电阻的正上方不具有与引线键合的金属焊盘，且所述待检测电阻和参考电阻的原始阻值都相等；

电流输入端和电流输出端；

位于所述电流输入端和电流输出端之间的两条串联电路，每一个串联电路包括一个待检测电阻和一个参考电阻，所述两条串联电路之间并联连接，其中一条串联电路通过待检测电阻的一端与电流输入端相连接，另一条串联电路通过参考电阻的一端与电流输入端相连接；

所述待检测电阻和参考电阻为扩散电阻；

所述扩散电阻的具体结构包括：位于半导体衬底内的阱区，位于所述阱区内的离子注入区，所述阱区和离子注入区的掺杂离子类型相反，所述离子注入区作为扩散电阻。

2.如权利要求1所述的半导体检测结构，其特征在于，所述半导体衬底晶面的密勒指数为(100)、(110)或(111)。

3.如权利要求1所述的半导体检测结构，其特征在于，所述待检测电阻的结构、形状、形成工艺相同。

4.如权利要求3所述的半导体检测结构，其特征在于，所述参考电阻的结构、形状、形成工艺相同，且与待检测电阻的结构、形状、形成工艺相同。

5.如权利要求1所述的半导体检测结构，其特征在于，所述待检测电阻为条形电阻，且两个待检测电阻平行设置或位于同一直线上。

6.如权利要求5所述的半导体检测结构，其特征在于，所述参考电阻为条形电阻，两个参考电阻和两个待检测电阻平行设置或位于同一直线上。

7.如权利要求1所述的半导体检测结构，其特征在于，所述原始阻值为尚未进行引线键合之前测得的待检测电阻和参考电阻的阻值。

8.如权利要求1所述的半导体检测结构，其特征在于，所述待检测电阻完全位于金属焊盘在半导体衬底表面的投影区域内，所述参考电阻完全位于金属焊盘在半导体衬底表面的投影区域外。

9.一种利用如权利要求1所述的半导体检测结构的检测方法，其特征在于，

包括：

在电流输入端和电流输出端之间施加测试电流；

测量其中一条串联电路中待检测电阻和参考电阻之间的电压与另一条串联电路中待检测电阻和参考电阻之间的电压的电压差，根据所述电压差和测试电流值来获得待检测电阻与参考电阻的电阻差。

10.如权利要求9所述的检测方法，其特征在于，所述电阻差表征金属焊盘进行引线键合产生的应力作用对待检测电阻的影响程度。

11.如权利要求9所述的检测方法，其特征在于，所述待检测电阻与参考电阻的电阻差与电压差、测试电流值的关系式为：ΔR＝2*ΔV/I，其中，ΔR为待检测电阻与参考电阻的电阻差，ΔV为电压差，I为测试电流值。