[发明专利]智能调光低辐射玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种智能调光低辐射玻璃，其包括基片，其特征在于：该智能调光低辐射玻璃还包含依次形成于该基片上的透明导电组合层、无机变色层、无机锂离子导体层、无机离子储存层及透明导电层，其中该透明导电组合层的方块电阻为10～30欧姆。

2.如权利要求1所述的智能调光低辐射玻璃，其特征在于：该透明导电组合层包含一层氧化硅层以及覆盖于该氧化硅层上的一层掺氟氧化锡层、一层掺铝氧化锌层或一层氧化铟锡层。

3.如权利要求1所述的智能调光低辐射玻璃，其特征在于：该透明导电组合层的厚度为200～900nm。

4.如权利要求1所述的智能调光低辐射玻璃，其特征在于：该透明导电组合层的厚度为300～850nm。

5.如权利要求1所述的智能调光低辐射玻璃，其特征在于：该透明导电组合层的可见光透过率为75～90％。

6.如权利要求1所述的智能调光低辐射玻璃，其特征在于：该无机变色层材料包含氧化钨、氧化钨钼、氧化镍钒或氧化钒钛；该无机锂离子导体层为含锂离子的钨酸锂、磷酸锂或镍酸锂；该无机离子储存层为氧化钒锆、氧化钛钒、氧化镍、氧化钒、氧化镍钒、氧化钼或氧化钛；该透明导电层为掺氟氧化锡、掺铝氧化锌或氧化铟锡。

7.如权利要求1所述的智能调光低辐射玻璃，其特征在于：该无机变色层的厚度为20～100nm；该无机锂离子导体层厚度为30～600nm；该无机离子储存层的厚度为100～400nm；该透明导电层的厚度为100～600nm。

8.如权利要求7所述的智能调光低辐射玻璃，其特征在于：该无机变色层的厚度为35～70nm；该无机锂离子导体层厚度为100～400nm；该无机离子储存层的厚度为80～350nm；该透明导电层的厚度为180～500nm。

9.如权利要求1所述的智能调光低辐射玻璃，其特征在于：该透明导电层的方块电阻为12～35欧姆，可见光透过率为75～90％。

10.一种智能调光低辐射玻璃的制备方法，其包括以下步骤：

提供基片；

用CVD或用PVD沉积的方式形成透明导电组合层；

用平面阴极直流加脉冲、或双旋转阴极中频交流反应磁控溅射沉积的方法形成无机变色层；

用平面阴极直流加脉冲、或双旋转阴极中频交流磁控溅射沉积的方法形成锂离子导体层；

用平面阴极直流加脉冲、或双旋转阴极中频交流反应磁控溅射沉积的方法形成离子储存层；以及

用平面阴极直流加脉冲、或双旋转阴极中频交流反应磁控溅射沉积形成透明导电层。