[发明专利]放射线屏蔽膜及其制造方法有效
申请号: | 201310224681.5 | 申请日: | 2013-06-06 |
公开(公告)号: | CN104240782A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | 汪漠;何晓辉;张毅;程飞;吉山友章 | 申请(专利权)人: | 日本华尔卡工业株式会社 |
主分类号: | G21F1/10 | 分类号: | G21F1/10 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 日本东京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放射线 屏蔽 及其 制造 方法 | ||
1.一种放射线屏蔽膜,其特征在于,以所述放射线屏蔽膜的总重量为100wt%计,该放射线屏蔽膜含有80wt%~99.9wt%的放射线屏蔽材料、和作为粘合剂的0.01wt%~20wt%的聚四氟乙烯。
2.根据权利要求1所述的放射线屏蔽膜,其特征在于,所述放射线屏蔽膜的空隙率为3%~30%。
3.根据权利要求1所述的放射线屏蔽膜,其特征在于,所述放射线屏蔽膜的厚度为0.5mm~6.0mm。
4.根据权利要求1所述的放射线屏蔽膜,其特征在于,所述的放射线屏蔽膜还含有聚四氟乙烯以外的粘合剂,该聚四氟乙烯以外的粘合剂的相对于上述聚四氟乙烯的总重量的含量为50wt%以下;或者所述的放射线屏蔽膜不含有聚四氟乙烯以外的粘合剂。
5.根据权利要求1所述的放射线屏蔽膜,其特征在于,所述聚四氟乙烯为纤维状。
6.根据权利要求1所述的放射线屏蔽膜,其中,所述放射线屏蔽材料选自钨、锡、锑、铋、钡、硅的单质,钨、锡、锑、铋、钡、硅的化合物,以及稀土元素氧化物中的一种或者两种以上的组合。
7.根据权利要求6所述的放射线屏蔽膜,其特征在于,所述放射线屏蔽材料选自铋、硫酸钡和氧化铈中的一种或者两种以上的组合。
8.根据权利要求1所述的放射线屏蔽膜,其特征在于,所述放射线屏蔽膜还含有着色剂。
9.根据权利要求8所述的放射线屏蔽膜,其特征在于,所述着色剂是炭黑或活性炭。
10.一种权利要求1至9中任一项所述放射线屏蔽膜的制造方法,其特征在于包括:
(1)混合工序,在上述放射线屏蔽膜的总重量为100wt%计时,将80wt%~99.9wt%的放射线屏蔽材料和0.01wt%~20wt%的聚四氟乙烯混合起来;以及
(2)膜化工序,以使上述聚四氟乙烯成为纤维的条件轧制所获得的混合物而使其成为膜状。
11.根据权利要求10所述的放射线屏蔽膜的制造方法,其特征在于,在所述混合工序中,还混合着色剂。
12.根据权利要求11所述的放射线屏蔽膜的制造方法,其特征在于,所述着色剂是炭黑或活性炭。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的放射线屏蔽膜的制造方法,其特征在于,在所述混合工序中混合聚四氟乙烯以外的粘合剂,该聚四氟乙烯以外的粘合剂的相对于所述聚四氟乙烯的总重量的含量为50wt%以下;或者在所述混合工序中不混合聚四氟乙烯以外的粘合剂。
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