[发明专利]LED芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201310230275.X | 申请日： | 2013-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN104241455A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 沈佳辉;洪梓健 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 徐丽昕 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.一种LED芯片制造方法，该制造方法包括步骤：
提供一LED垒层结构，在LED垒层结构上涂布压印胶；
提供一纳米压印模板，该纳米压印模板具有图案化结构，该图案化结构包含具有斜边与底边的梯形凹槽，且斜边与底边的夹角小于45度，将纳米压印模板压印于涂布在LED垒层结构上的压印胶上；
固化压印胶，去除纳米压印模板；
蚀刻带有固化后的压印胶的LED垒层结构，以去除压印胶以及部分LED垒层结构；
在蚀刻后的LED垒层结构上设置电极以形成LED芯片。
2.如权利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：所述LED垒层结构包括基底，第一半导体层、有源层和第二半导体层，基底的一面作为LED垒层结构的底面，第一半导体层、有源层和第二半导体层在远离底面的另一面上依次生长。
3.如权利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：所述压印胶为紫外固化性压印胶或热固化性压印胶。
4.如权利要求3所述的LED芯片制造方法，其特征在于：所述梯形凹槽的斜边包含三维结构。
5.如权利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：采用电感耦合等离子蚀刻法或反应离子束蚀刻法进行蚀刻。
6.一种LED芯片，包含基底，基底的一面作为底面，在远离底面的另一面上依次生长有第一半导体层、有源层和第二半导体层，电极与第一半导体层和第二半导体层电连接，其特征在于：LED芯片的倾斜面与底面夹角小于45度。
7.如权利要求6所述的LED芯片，其特征在于：在基底上先生长一缓冲层，在缓冲层上再生长第一半导体层。
8.如权利要求6所述的LED芯片，其特征在于：LED芯片的倾斜面具有三维结构。
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