[发明专利]LED芯片及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种LED芯片制造方法，特别涉及利用纳米压印技术制造LED芯片的方法，还涉及一种LED芯片。

背景技术

LED（Light-emitting diode, 发光二极管）产业是近几年最受瞩目的产业之一，发展至今，LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命长，且不含汞，具有环保效益等优点，因此被认为是新世代绿色节能照明的最佳光源。为了提高LED的出光量，现有技术依靠黄光制程将LED芯片侧面制作成倾斜面，以减少全反射现象的发生，增加出光量，然而，现有黄光制程的局限性使得LED芯片的底面和倾斜面的夹角大于45度，针对增加LED芯片的出光量而言，采用黄光制程制作LED芯片倾斜面的方法依然不够理想。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种制造底面与倾斜面夹角角度更小的LED芯片的制造方法，及底面与倾斜面夹角更小的LED芯片。

一种LED芯片制造方法，该制造方法包括步骤：提供一LED垒层结构，在LED垒层结构上涂布压印胶；提供一纳米压印模板，该纳米压印模板具有图案化结构，该图案化结构包含具有斜边与底边的梯形凹槽，且斜边与底边的夹角小于45度，将纳米压印模板压印于涂布在LED垒层结构上的压印胶上；固化压印胶，去除纳米压印模板；蚀刻带有固化后的压印胶的LED垒层结构，以去除压印胶以及部分LED垒层结构；在蚀刻后的LED垒层结构上设置电极以形成LED芯片。

一种LED芯片，包含基底，基底的一面作为底面，在远离底面的另一面上依次生长有第一半导体层、有源层和第二半导体层，电极与第一半导体层和第二半导体层电连接，LED芯片的倾斜面与底面夹角小于45度。

采用上述LED芯片制造方法制造完成的LED芯片的倾斜面与底面夹角小于45度，其可更加有效地减少全反射现象，增加LED芯片的出光量。

附图说明

图1是本发明LED芯片制造方法的流程图。

图2是本发明LED芯片制造方法的步骤一的示意图。

图3是本发明LED芯片制造方法的步骤二的示意图。

图4和图5是本发明LED芯片制造方法的步骤三的示意图。

图6和图7是本发明LED芯片制造方法的步骤四的示意图。

图8是本发明LED芯片制造方法的步骤五的示意图。

图9是纳米压印模板的示意图。

图10是利用图9的纳米压印模板制造的LED芯片的示意图。

主要元件符号说明