[发明专利]芯片封装基板的制作方法有效
申请号: | 201310230281.5 | 申请日: | 2013-06-11 |
公开(公告)号: | CN104241231B | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 苏威硕 | 申请(专利权)人: | 南安市鑫灿品牌运营有限公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L21/60;H05K3/46 |
代理公司: | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙)44419 | 代理人: | 曹明兰 |
地址: | 362300 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 封装 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及电路板制作领域,尤其涉及一种芯片封装基板及其制作方法。
背景技术
芯片封装基板可为芯片提供电连接、保护、支撑、散热、组装等功效,以实现多引脚化,缩小封装产品体积、改善电性能及散热性、超高密度或多芯片模块化的目的。
目前有一种芯片封装基板,其在接触垫上形成铜柱凸块。现有技术的铜柱凸块通常采用如下方法制作:在防焊层表面形成光阻层,并在光阻层上开设对应于多个接触垫的多个第一开口,该多个第一开口与防焊层上用于暴露接触垫的第二开口相连通;采用电镀的方法在该第一开口和第二开口形成电镀铜层;去除该光阻层,形成于该多个第一开口内的电镀铜层形成对应于多个接触垫的铜柱凸块。然而,由于第一和第二开口均较小,为使第一开口与第二开口可以精确对位,第一开口需大于第二开口,这样使得无法满足业界对于凸块细间距的需要。
发明内容
因此,有必要提供一种使凸块具有细间距的芯片封装基板和芯片封装结构及其制作方法。
一种芯片封装基板的制作方法,包括步骤:在铜箔层上形成图案化的第一光阻层,该第一光阻层具有多个暴露该铜箔层的第一开口;在该第一光阻层表面形成图案化的第二光阻层,该第二光阻层具有暴露该第一开口和部分第一光阻层的第二开口;通过电镀工艺使该第一开口和第二开口内充满电镀铜层,该第一开口内的电镀铜层构成凸块基部,该第二开口内的电镀铜层构成第一线路层;去除该第二光阻层,并在该第一线路层上依次形成第一介电层和第二线路层;在该铜箔层表面形成图案化的第三光阻层,该第三光阻层由多个分别与该多个凸块基部相正对且面积小于对应的凸块基部的遮挡区构成;蚀刻该铜箔层,形成分别与该多个凸块基部相连的多个凸块凸部,每个凸块凸部与对应的凸块基部的相交面小于对应的凸块基部,且沿远离该凸块基部的方向逐渐变细,该多个凸块基部与对应的凸块凸部构成多个铜柱凸块;及去除该第三光阻层,形成芯片封装基板。
一种芯片封装基板的制作方法,包括步骤:提供承载板及贴附于该承载板相对两侧的两个铜箔层;在每个铜箔层上均形成图案化的第一光阻层,每个第一光阻层具有多个暴露该铜箔层的第一开口;在每个第一光阻层表面形成图案化的第二光阻层,每个第二光阻层具有暴露该第一开口和部分第一光阻层的第二开口;通过电镀工艺使每个第一开口和第二开口内充满电镀铜层,每个第一开口内的电镀铜层构成凸块基部,每个第二开口内的电镀铜层构成第一线路层;去除该两个第二光阻层,并在每个第一线路层上依次形成第一介电层和第二线路层;使两个铜箔层分别与对应相邻的离型膜相分离;在每个铜箔层表面形成图案化的第三光阻层,每个第三光阻层由多个分别与对应的多个凸块基部相正对且面积小于对应的凸块基部的遮挡区构成;蚀刻每个铜箔层,使每个铜箔层形成分别与对应的多个凸块基部相连的多个凸块凸部,每个凸块凸部与对应的凸块基部的相交面小于对应的凸块基部,且沿远离该凸块基部的方向逐渐变细,该多个凸块基部与对应的凸块凸部构成多个铜柱凸块;及去除每个第三光阻层,形成芯片封装基板。
一种芯片封装基板,包括第一线路层、第一介电层、第二线路层及多个铜柱凸块,每个铜柱凸块均由凸块基部与对应的凸块凸部构成,该第一线路层、第一介电层及第二线路层依次层叠设置,该多个凸块基部分别与第一线路层相邻且为一体结构,该多个凸块凸部分别形成于对应凸块基部的表面且与对应的凸块基部的相交面面积小于对应的凸块基部的面积,且该多个凸块凸部分别沿远离对应的凸块基部的方向逐渐变细。
相对于现有技术,本实施例芯片封装基板的凸块凸部与凸块基部的相交面小于对应凸块基部的面积且沿远离凸块基部的方向逐渐变细,因此可以使铜柱凸块具有更细间距;且凸块凸部是由蚀刻铜箔层的方法制得,铜箔层的厚度远远小于电镀铜层等其他形式的铜层厚度,因此可使形成更小的铜柱凸块成为可能。本实施例的芯片封装基板也可应用于HDI高密度积层板。
附图说明
图1是本发明第一实施例提供的铜箔层和第一光阻层的剖视图。
图2是在图1中的第一光阻层上形成第二光阻层后的剖视图。
图3是在图2中的第一光阻层和第二光阻层所限定的开口内形成电镀层后剖视图。
图4是去除图3中的第二光阻层并压合第一介电层后的剖视图。
图5是在图4中的第一介电层上形成第二线路层后的剖视图。
图6是在图5中的第二线路层上压合第二介电层后剖视图。
图7是在图6中的第二介电层上形成第三线路层后的剖视图。
图8是在图7中的第三线路层上形成防焊层后的剖视图。
图9是在图8中的铜箔层上形成第三光阻层后的剖视图。
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