[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其用于向在基底层的表面上形成有去除对象层的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液来将去除对象层去除，其特征在于，

该基板处理装置包括：

基板处理室，其用于处理上述基板；

基板保持部件，其设于上述基板处理室内，用于保持上述基板；

混合液供给部件，其用于以不会对上述基底层造成损伤的温度和过氧化氢水的混合比向由上述基板保持部件保持着的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液；以及

OH基供给部件，其用于向上述基板供给含有OH基的流体，

上述OH基供给部件供给含有在上述混合液与OH基在上述基板上混合时不会对上述基底层造成损伤的量的OH基的流体。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述OH基供给部件构成为局部地向基板的被自上述混合液供给部件供给上述混合液的部分供给上述OH基。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

上述OH基供给部件设于与上述基板进行相对移动的上述混合液供给部件的行进方向的上游侧。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述OH基供给部件构成为向上述基板处理室的整个内部供给上述OH基。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

上述OH基供给部件在供给上述OH基的期间减少所供给的OH基的量。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

上述OH基供给部件在供给上述OH基的期间降低所供给的OH基的温度。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

上述混合液供给部件在供给上述混合液的期间降低在所供给的混合液中含有的过氧化氢水的混合比。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

上述混合液供给部件在供给上述混合液的期间降低所供给的混合液的温度。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

上述混合液供给部件包括利用非活性气体来使上述混合液液滴化的双流体喷嘴。

10.一种基板处理方法，向在基底层的表面上形成有去除对象层的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液而将去除对象层去除，其特征在于，

以不会对上述基底层造成损伤的温度和过氧化氢水的混合比来向上述基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液，并以在上述混合液与OH基在上述基板上混合时不会对上述基底层造成损伤的量来向上述基板供给含有OH基的流体，以去除上述去除对象层。

11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于，

局部地向上述基板的被供给上述混合液的部分供给上述OH基。

12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，

使被供给上述混合液的部位相对于上述基板上移动，并向进行移动的、被供给上述混合液的部位的行进方向的上游侧供给上述OH基。

13.根据权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于，

向基板处理室的整个内部供给上述OH基。

14.根据权利要求10至13中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

在供给上述OH基的期间，减少所供给的OH基的量。

15.根据权利要求10至14中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

在供给上述OH基的期间降低所供给的OH基的温度。

16.根据权利要求10至15中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

在供给上述混合液的期间降低在所供给的混合液中含有的过氧化氢水的混合比。

17.根据权利要求10至16中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

在供给上述混合液的期间，降低所供给的混合液的温度。

18.根据权利要求10至17中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

以利用非活性气体来使上述混合液液滴化的方式供给上述混合液。