[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种通过硫酸与过氧化氢水的混合液将形成在基板表面的基底层上的去除对象层去除的基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

以往，在制造半导体零件、平板显示器等时，要在半导体晶圆、液晶基板等基板的表面上形成各种布线图案。在基板上形成布线图案时，首先，要在基板的表面上形成由氧化膜、氮化膜等构成的基底层并在基底层的表面上形成规定形状的抗蚀剂层、防反射层等去除对象层。之后，对基板的表面实施曝光等处理，以在保留基底层的情况下将去除对象层去除。之后，通过将基底层的不再需要的部分去除而在基板上形成规定形状的布线图案。

在用于将去除对象层自基板的表面去除的基板处理装置中，使用硫酸与过氧化氢水的混合液（SPM（sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：硫酸过氧化氢水））等各种处理药液来将去除对象层去除（例如，参照专利文献1）。

专利文献1：日本特开2010－103189号公报

在以往的基板处理装置中，在为了谋求布线图案的高密度化而注入高浓度的离子并形成了抗蚀剂层的情况下，由于在作为去除对象层的抗蚀剂层的表面形成有固化膜，因此，在将液温设为高温（例如200℃以上）并提高了过氧化氢水的混合比（例如，硫酸：过氧化氢水=6：1）的状态下向基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液以去除抗蚀剂层。

这样，在将硫酸与过氧化氢水的混合液的温度设为高温并提高了过氧化氢水的混合比的情况下，将去除对象层（抗蚀剂层）去除的能力变高，从而能够良好地将去除对象层去除。

但是，在以往的基板处理装置中，不仅对去除对象层的去除能力变高，对基底层的去除能力也变高，从而有可能对基底层的表面造成损伤。

发明内容

因此，本发明的基板处理装置用于向在基底层的表面上形成有去除对象层的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液来将去除对象层去除，其中，该基板处理装置包括：基板处理室，其用于处理上述基板；基板保持部件，其设于上述基板处理室内，用于保持上述基板；混合液供给部件，其用于以不会对上述基底层造成损伤的温度和过氧化氢水的混合比向由上述基板保持部件保持着的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液；以及OH基供给部件，其用于向上述基板供给含有OH基的流体，上述OH基供给部件供给含有在上述混合液与OH基在上述基板上混合时不会对上述基底层造成损伤的量的OH基的流体。

另外，基板处理装置构成为：上述OH基供给部件构成为向局部地上述基板的被上述混合液供给部件供给混合液的部分供给上述OH基。

另外，基板处理装置构成为：上述OH基供给部件设于与上述基板进行相对移动的上述混合液供给部件的行进方向的上游侧。

另外，基板处理装置构成为：上述OH基供给部件构成为向上述基板处理室的整个内部供给上述OH基。

另外，基板处理装置构成为：上述OH基供给部件在供给上述OH基的期间减少所供给的OH基的量。

另外，基板处理装置构成为：上述OH基供给部件在供给上述OH基的期间降低所供给的OH基的温度。

另外，基板处理装置构成为：上述混合液供给部件在供给上述混合液的期间降低在所供给的混合液中含有的过氧化氢水的混合比。

另外，基板处理装置构成为：上述混合液供给部件在供给上述混合液的期间降低所供给的混合液的温度。

另外，基板处理装置构成为：上述混合液供给部件包括利用非活性气体来使上述混合液液滴化的双流体喷嘴。

另外，在本发明的基板处理方法中向在基底层的表面上形成有去除对象层的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液来将去除对象层去除，其中，以不会对上述基底层造成损伤的温度和过氧化氢水的混合比来向上述基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液，并以在上述混合液与OH基在上述基板上混合时不会对上述基底层造成损伤的量来向上述基板供给含有OH基的流体，以去除上述去除对象层。

另外，在基板处理方法中，局部地向上述基板的被供给上述混合液的部分供给上述OH基。

另外，在基板处理方法中，使被供给上述混合液的部位相对于上述基板上移动，并向进行移动的、被供给上述混合液的部位的行进方向的上游侧供给上述OH基。

另外，在基板处理方法中，向基板处理室的整个内部供给上述OH基。

另外，在基板处理方法中，在供给上述OH基的期间减少所供给的OH基的量。

另外，在基板处理方法中，在供给上述OH基的期间降低所供给的OH基的温度。