[发明专利]设计的用于n型MOSFET的源极/漏极区有效
| 申请号： | 201310231593.8 | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104037224B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 吕伟元;舒丽丽;黃俊鸿;李启弘;陈志辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 设计 用于 mosfet 漏极区 | ||
1.一种形成集成电路器件的方法，包括：
提供半导体主体；
在所述半导体主体上形成栅极或伪栅极的堆叠件；
图案化所述堆叠件以从源极区和漏极区中去除所述栅极的所述堆叠件，同时保留主体区上方将为所述栅极提供沟道区的图案化的堆叠件；
在所述栅极的侧壁周围形成间隔件；
在所述源极区和所述漏极区中的半导体主体中蚀刻沟槽；
通过旋回沉积和蚀刻在所述沟槽中形成第一层，所述第一层包括硅、碳和磷；
通过外延生长在所述第一层上方形成第二层，所述第二层包括硅和磷，所述第一层和所述第二层为晶体管提供源极区和漏极区；以及
进行热退火以使磷至少从所述第二层扩散穿过由所述间隔件和所述第一层形成的障碍物并且形成源极/漏极延伸区，其中，所述第一层覆盖所述沟槽的侧壁，所述源极/漏极延伸区沿着所述第一层的底面和外侧壁设置，扩散的磷决定所述源极区和所述漏极区与所述沟道区之间p-n结的位置。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，磷从所述第二层扩散的速率快于从所述第一层扩散的速率。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，蚀刻所述沟槽包括各向异性湿蚀刻。
4.根据权利要求1所述的方法，其中：
所述第一层的碳原子分数为1％至2.5％；以及
所述第二层的碳原子分数小于所述第一层的碳原子分数的一半。
5.根据权利要求1所述的方法，其中：
所述第二层的磷浓度为2.5e20atom/cm3到1e22atom/cm3；以及
所述第一层的磷浓度小于所述第二层的磷浓度。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二层高出所述沟道区的表面至少10nm。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二层延伸至所述沟道区的表面下方至少2nm的深度。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，与所述沟槽至少部分共形地沉积所述第一层，从而所述第一层覆盖所述沟槽的侧面至少3nm的厚度。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二层位于所述沟道区的表面下方的部分的厚度为所述第一层的厚度的1/3到1/20。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沟槽在所述沟道区的表面下方形成为至少10nm的深度。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述热退火包括加热至950℃至1300℃范围内的温度，并且维持该温度不超过15毫秒。
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