[发明专利]集成有减振器的单一多晶硅MOSFET器件

权利要求书

1.一种MOSFET器件，其特征在于，该器件包含：

一个第一导电类型的半导体的衬底；

一个第一导电类型的半导体的漂流区，其形成在所述衬底上方，所述漂流区的掺杂浓度低于衬底；

一个第二导电类型的本体区，其形成在所述漂流区顶部，所述第二导电类型与第一导电类型相反；

一个或若干个由漂流区和本体区构成的有源MOSFET器件结构，其中每个有源MOSFET器件结构都含有一个电绝缘栅极电极；一个或若干个形成在临近栅极电极的本体区顶部的第一导电类型的源极区；一个形成在栅极电极上方和本体区的顶面上方的绝缘物部分；一个形成在绝缘物部分上方的导电源极电极层；一个或若干个电接头，其将源极电极层与一个或若干个源极区相连；以及，

一个或若干个由漂流区和本体区构成的虚拟器件结构，其并联到有源MOSFET器件结构上，其中一个或若干个虚拟器件结构中的每一个器件结构都包含有一个电绝缘减振器电极，其形成在本体区和漂流区附近；一个绝缘物部分，其形成在减振器电极上方和本体区的顶面上方；以及，一个或若干个电接头，其将减振器电极和本体区的邻近部分连接到源极电极层。

2.如权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，一个或若干个所述的虚拟器件结构位于MOSFET器件布局的不同区域中，而不是一个或若干个有源MOSFET器件结构中。

3.如权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，一个或若干个所述的虚拟器件结构位于MOSFET器件布局的同一个区域中，并且与一个或若干个有源MOSFET器件结构混合。

4.如权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，每个所述虚拟器件结构都没有源极区。

5.如权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，将减振器电极和本体区的邻近部分连接到源极电极层的所述电接头，为从源极层开始穿过绝缘物部分延伸的接头。

6.如权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，每个所述栅极电极都形成在栅极沟槽中，该栅极沟槽穿过本体区延伸到漂流区中，所述栅极电极与栅极沟槽的侧壁和底部电绝缘，其中在栅极电极和栅极沟槽底部之间的栅极沟槽中没有额外的电极。

7.如权利要求1或6所述的MOSFET器件，其特征在于，每个所述的减振器电极都形成在沟槽中，该沟槽穿过本体区延伸到漂流区中，所述减振器电极与沟槽的侧壁和底部电绝缘。

8.如权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，所述MOSFET器件结构为平面器件结构，其中所形成的栅极电极覆盖在本体区的一部分本体阱、源极区以及横向靠近本体阱区的漂流区的通道部分上方。

9.如权利要求1或8所述的MOSFET器件，其特征在于，所述虚拟器件结构为平面器件结构，其中所形成的减振器电极覆盖在本体区的一部分本体阱，以及横向靠近本体阱区的一部分漂流区上方。

10.一种用于制备含有一个或若干个有源MOSFET器件结构以及一个或若干个减振器电路的MOSFET器件的方法，其特征在于，该方法包含：

制备一个第一导电类型的半导体漂流区，该漂流区形成在第一导电类型的半导体衬底上方，所述漂流区的掺杂浓度低于衬底；

在漂流区的顶部，制备一个第二导电类型的本体区，所述第二导电类型与第一导电类型相反；

由漂流区和本体区制备一个或若干个有源MOSFET器件结构，其中每个有源MOSFET器件结构都包含有一个电绝缘栅极电极；一个或若干个第一导电类型的源极区，其形成在栅极沟槽附近的本体区顶部；一个绝缘物部分，其形成在栅极电极上方和本体区的顶面上方；一个导电源极电极层，其形成在所述绝缘物部分上方；一个或若干个电接头，其将源极电极层与一个或若干个源极区相连；并且，

制备一个或若干个由漂流区和本体区构成的虚拟器件结构，其中一个或若干个虚拟器件结构并联到有源MOSFET器件结构上，其中一个或若干个虚拟器件结构中的每一个器件结构都含有一个电绝缘减振器电极，该电绝缘减振器电极形成在本体区和漂流区附近；一个绝缘物部分，其形成在减振器电极上方和本体区的顶面上方，以及一个或若干个电接头，其将减振器电极和本体区的邻近部分连接到源极电极层。