[发明专利]静电放电保护结构

权利要求书

1.一种静电放电保护结构，其特征在于，包括：

P型衬底，位于所述P型衬底内的触发三极管和可控硅结构；

所述可控硅结构包括位于所述P型衬底内的第一N型阱区和P型阱区，所述第一N型阱区和P型阱区相邻且相接触，位于所述第一N型阱区内的第一P型掺杂区，位于所述P型阱区内的第二P型掺杂区和第二N型掺杂区；

所述触发三极管的集电极、第一P型掺杂区与静电放电输入端相连接，所述第二N型掺杂区与静电放电输出端相连接，所述触发三极管的发射极、第二P型掺杂区与升压电阻的一端相连接，所述升压电阻的另一端与静电放电输出端相连接；

其中，所述触发三极管为NPN三极管；所述NPN三极管的具体结构包括：位于所述P型衬底内的第二N型阱区，所述第二N型阱区与第一N型阱区电学隔离；位于所述第二N型阱区内的第三N型掺杂区和P型静电放电掺杂区，位于所述P型静电放电掺杂区内的第四N型掺杂区，所述第三N型掺杂区、第二N型阱区、P型静电放电掺杂区和第四N型掺杂区构成NPN三极管。

2.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述P型静电放电掺杂区的深度大于所述第四N型掺杂区的深度。

3.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述P型静电放电掺杂区的厚度范围为100纳米～400纳米。

4.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述P型静电放电掺杂区的掺杂浓度范围为5E17/平方厘米～5E18/平方厘米。

5.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述P型静电放电掺杂区的掺杂浓度大于P型阱区的掺杂浓度。

6.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第三N型掺杂区作为NPN三极管的集电极，所述第四N型掺杂区作为NPN三极管的发射极。

7.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第一P型掺杂区、第二P型掺杂区为P型重掺杂区，所述第二N型掺杂区、第三N型掺杂区、第四N型掺杂区为N型重掺杂区。

8.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，还包括：位于所述第一N型阱区内的第一N型掺杂区，所述第一N型掺杂区与静电放电输入端相连接。

9.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述升压电阻的阻值范围为0欧姆～20欧姆。

10.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述静电放电输出端为接地端。