[发明专利]电容式触控面板的电容结构有效

专利信息
申请号: 201310232465.5 申请日: 2013-06-07
公开(公告)号: CN103677463A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 陈蔚宗;辛哲宏;蔡娟娟;唐文忠;杨智翔 申请(专利权)人: 元太科技工业股份有限公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044;H01G4/33
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电容 式触控 面板 结构
【权利要求书】:

1.一种电容式触控面板的电容结构,其特征在于其包括:

第一电极层;

第一材料层,配置于该第一电极层上,其材料选自半导体材料及绝缘材料两者其中之一;

第二材料层,配置于该第一材料层上,其材料选自该半导体材料及该绝缘材料两者其中的另一种;以及

第二电极层,配置于该第二材料层上。

2.根据权利要求1所述的电容结构,其特征在于其中该第二材料层的材料选自该半导体材料,配置于该第二材料层之上的该第二电极层在第一方向上的宽度小于该第二材料层在该第一方向上的宽度。

3.根据权利要求1所述的电容结构,其特征在于其中该第二电极层在该第一方向上排列。

4.根据权利要求1所述的电容结构,其特征在于其中该第一材料层的材料选自该半导体材料,配置于该第一材料层之下的该第一电极层在第二方向上的宽度小于该第一材料层在该第二方向上的宽度。

5.根据权利要求4所述的电容结构,其特征在于其中该第一电极层在该第二方向上排列。

6.根据权利要求1所述的电容结构,其特征在于其中该半导体材料为金属氧化物半导体。

7.根据权利要求1所述的电容结构,其特征在于其中在光照期间,材料选自该半导体材料的该第一材料层或该第二材料层的空乏区电容根据该电容结构的偏压来产生。

8.根据权利要求7所述的电容结构,其特征在于其中在该光照期间,光源提供光线至该电容结构,该光源的闪烁频率大于临界频率。

9.根据权利要求1所述的电容结构,其特征在于其中该第一电极层与该第二电极层用以接收交流信号,以操作在周期性极性反转模式。

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