[发明专利]电容式触控面板的电容结构有效
申请号: | 201310232465.5 | 申请日: | 2013-06-07 |
公开(公告)号: | CN103677463A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 陈蔚宗;辛哲宏;蔡娟娟;唐文忠;杨智翔 | 申请(专利权)人: | 元太科技工业股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044;H01G4/33 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 式触控 面板 结构 | ||
技术领域
本发明有关于一种触控面板的元件结构,特别是有关于一种电容式触控面板的电容结构。
背景技术
随着触控面板(touch panel)的技术发展,触控面板已经广泛应用到电子装置的荧幕,例如手机、笔记型电脑或平板电脑。触控面板可以让使用者更方便的进行输入或操作的动作,让其使用者介面更为人性化与方便。
一般而言,根据触控面板的构造和感测形式的不同可区分为:电阻式触控面板、电容式触控面板、音波式触控面板、光学式触控面板、电磁式触控面板。就电容式触控面板而言,其电极结构包括多个接收电极以及多个驱动电极。在实际应用上,驱动电极用以接收面板控制器所输入的驱动信号,以驱动触控面板对使用者的触碰进行感测。接收电极用以产生对应于使用者触碰的感应信号。然而,现有的电容式触控面板只接受使用者直接触碰的触发方式,无法利用远端或非碰触的方式来操作。
此外,就光学式触控面板而言,其可利用远端或非碰触的方式来操作,只是现有的光学式触控面板多采用内嵌式架构,即直接将光感应器埋设于薄膜晶体管面板或彩色滤光面板之上,此种架构会占去一定的像素面积并影响面板的开口率。
由此可见,上述现有的触控面板在结构与使用上,显然仍存在有不便与缺陷,而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题,相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道,但长久以来一直未见适用的设计被发展完成,而一般产品又没有适切结构能够解决上述问题,此显然是相关业者急欲解决的问题。
发明内容
本发明提供一种电容式触控面板的电容结构,此电容式触控面板同时兼具电容式触控与光学式触控的功能。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。本发明提供一种电容式触控面板的电容结构,包括第一电极层、第一材料层、第二材料层以及第二电极层。第一材料层配置于第一电极层上,其材料选自半导体材料及绝缘材料两者其中之一。第二材料层配置于第一材料层上,其材料选自半导体材料及绝缘材料两者其中的另一种。第二电极层配置于第二材料层上。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
较佳的,前述的电容式触控面板的电容结构,其中该第二材料层的材料选自半导体材料,配置于第二材料层之上的第二电极层在第一方向上的宽度小于第二材料层在第一方向上的宽度。
较佳的,前述的电容式触控面板的电容结构,其中该第二电极层在第一方向上排列。
较佳的,前述的电容式触控面板的电容结构,其中该第一材料层的材料选自半导体材料,配置于第一材料层之下的第一电极层在第二方向上的宽度小于第一材料层在第二方向上的宽度。
较佳的,前述的电容式触控面板的电容结构,其中该第一电极层在第二方向上排列。
较佳的,前述的电容式触控面板的电容结构,其中该半导体材料为金属氧化物半导体。
较佳的,前述的电容式触控面板的电容结构,其中在光照期间,材料选自半导体材料的第一材料层或第二材料层的空乏区电容根据电容结构的偏压来产生。
较佳的,前述的电容式触控面板的电容结构,其中在光照期间,光源提供光线至电容结构,光源的闪烁频率大于临界频率。
较佳的,前述的电容式触控面板的电容结构,其中该第一电极层与第二电极层用以接收交流信号,以操作在周期性极性反转模式。
借由上述技术方案,本发明电容式触控面板的电容结构至少具有下列优点及有益效果:触控面板的半导体材料层可兼具光触发与指触发的触碰控制,因此本发明揭露的电容式触控面板同时兼具电容式触控与光学式触控的功能。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举较佳实施例,并配合附图,详细说明如下。
附图说明
图1绘示本发明实施例的电容式触控面板的电容结构的俯视示意图。
图2绘示图1实施例的电容式触控面板的电容结构的剖面示意图。
图3绘示本发明另一个实施例的电容式触控面板的电容结构的立体示意图。
图4绘示图3实施例的电容式触控面板的电容结构的俯视示意图。
图5绘示本发明实施例的第一电极层与第二电极层操作在周期性极性反转模式的概要示意图。
图6绘示本发明实施例的空乏区电容在有光照时其周期性变化消失的概要示意图。
图7绘示本发明实施例的半导体层的空乏区电容因光照而产生位移电流的概要示意图。
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