[发明专利]半导体发光器件有效
| 申请号： | 201310232665.0 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103367593A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 林祐湜;秋圣镐 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
1.一种半导体发光器件，包括：
第一导电型半导体层；
设置在所述第一导电型半导体层上的有源层；
设置在所述有源层上的第二导电型半导体层；
设置在所述第一导电型半导体层上的第一电极部；
设置在所述有源层和所述第一电极部之间且包括第一开口的绝缘层，所述第一电极部穿过所述绝缘层的所述第一开口；
设置在所述第二导电型半导体层上且包括第二开口的电极层；和
穿过所述第二电极层的所述第二开口以接触所述第二导电型半导体层的第二电极垫。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一导电型半导体层包括N型半导体层，所述第二导电型半导体层包括P型半导体层。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，包括：
从所述第二电极垫延伸的第二电极。
4.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中所述第二电极垫是所述第二电极的一部分。
5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一电极部包括：
设置在所述第一导电型半导体层的一部分上的第一电极；和
设置在所述第一电极的一部分上且穿过所述绝缘层的所述第一开口的第一电极垫。
6.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其中所述绝缘层设置在所述第一电极周围。
7.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其中所述电极层与所述第一电极间隔开。
8.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其中所述第一电极垫经由所述绝缘层的所述第一开口接触所述第一电极。
9.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其中所述第一电极垫从所述绝缘层的顶表面突出。
10.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第二电极垫接触所述电极层的所述第二开口的内侧表面。
11.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述电极层接触所述第二导电型半导体层和所述绝缘层。
12.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第二电极垫包括设置在所述电极层上的第一部分和设置在所述电极层的所述第二开口中并且从所述第一部分向下突出的第二部分。
13.根据权利要求12所述的半导体发光器件，其中所述第二部分具有接触所述第二导电型半导体层的底表面。
14.根据权利要求12所述的半导体发光器件，其中所述第二部分具有接触所述电极层的所述第二开口的内侧表面的侧表面。
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