[发明专利]半导体发光器件

说明书

本发明是2009年12月24日提交的发明名称为“半导体发光器件”的中国专利申请200910265704.0的分案申请。

技术领域

本公开内容涉及半导体发光器件。

背景技术

III-V族氮化物半导体由于它们极好的物理和化学性能，而作为用于发光器件例如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等的芯材料而受到关注。III-V族氮化物半导体由化学式为In_xAl_yGa_1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料构成。

LED是通过使用化合物半导体的特性来发送与接收信号，从而将电转化为红外线或者光的半导体器件，并且它们用作光源。

由氮化物半导体材料制成的LED或者LD广泛地用于发光器件以获得光，并且用作光源用于各种产品，例如用于移动式电话的小键盘的发光部、电布告牌和照明器件。

发明内容

一些实施方案提供一种包括电极结构的半导体发光器件。

一些实施方案提供一种包括第一电极的半导体发光器件，所述第一电极具有在第一导电型半导体层上的至少一个分支。

一些实施方案提供一种包括第一电极和第二电极的半导体发光器件，其部分图案彼此交叠或者彼此交替设置。

一个实施方案提供一种半导体发光器件，包括：第一导电型半导体层；在第一导电型半导体层的第一部分上并且具有至少一个分支的第一电极；覆盖第一电极的绝缘层；具有直接在绝缘层上的第一部分的电极层，所述电极层具有在不同于第一导电型半导体层的第一部分的第一导电型半导体的第二部分上的第二部分。

一个实施方案提供一种半导体发光器件，包括：第一导电型半导体层；在第一导电型半导体层的第一部分上并且具有至少一个分支的第一电极；覆盖第一电极的绝缘层；在绝缘层上的电极层；在绝缘层和电极层中设置为暴露出第一电极的一部分的开口；和在开口中和在第一电极的暴露部分上形成的第一电极垫。

一个实施方案提供一种半导体发光器件，包括：第一导电型半导体层；在第一导电型半导体层的第一部分上并且具有至少一个分支的第一电极；覆盖第一电极的绝缘层；在绝缘层上的电极层；在第一导电型半导体层上的有源层；在有源层和电极层之间的第二导电型半导体层；电连接至电极层和第二导电型半导体层中的至少一个的第二电极垫；和在电极层上并且具有至少一个分支的第二电极。

在附图和以下的描述中阐述一个或多个实施方案的细节。通过说明书和附图以及通过权利要求使其它特征可变得显而易见。

附图说明

图1是说明根据一个实施方案的半导体发光器件的截面图。

图2是说明根据一个实施方案的半导体发光器件的立体图。

图3是沿着图2的线A-A截取的截面图。

图4是沿着图2的线B-B截取的截面图。

图5是说明根据另一个实施方案的半导体发光器件的立体图。

图6是图5的平面图。

图7是沿着图6的线C-C截取的截面图。

图8是说明根据一个实施方案的半导体发光器件的平面图。

图9～16是说明制造根据一个实施方案的半导体发光器件的方法的示意图。

图17是说明根据另一个实施方案的半导体发光器件的截面图。

图18～26是说明制造根据另一个实施方案的半导体发光器件的方法的示意图。

图27～35是说明制造根据另一个实施方案的半导体发光器件的方法的示意图。

图36是说明根据另一个实施方案的半导体发光器件的平面图。

图37是说明根据另一个实施方案的半导体发光器件的平面图。

图38是说明根据另一个实施方案的半导体发光器件的平面图。

图39是说明根据另一个实施方案的半导体发光器件的平面图。

图40是沿着图39的线C-C截取的截面图。

图41是说明根据另一个实施方案的半导体发光器件的平面图。

图42是说明根据另一个实施方案的半导体发光器件的平面图。

图43是说明根据另一个实施方案的半导体发光器件的平面图。

图44是说明根据一个实施方案的发光器件封装的截面图。

具体实施方式

现在将详细说明本发明的实施方案，结合附图中对其实施例进行说明。在实施方案的描述中，将参考附图来描述每层的“上”或者“下”，每层的厚度仅仅描述作为一个示例而不限于附图中的厚度。