[发明专利]电子器件的生产管理装置及生产管理系统有效

专利信息
申请号: 201310233441.1 申请日: 2013-06-13
公开(公告)号: CN103489054B 公开(公告)日: 2016-11-23
发明(设计)人: 黄琳婷 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G06Q10/06 分类号: G06Q10/06;G06Q50/04
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈萍
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电子器件 生产管理 装置 系统
【说明书】:

关联申请

本申请以2012年6月13日申请的在先日本国专利申请第2012-134282号的优先权为基础,而且要求该优先权,通过引用而包含其全部内容。

技术领域

本发明涉及电子器件的生产管理装置及生产管理系统。

背景技术

在半导体存储器件等电子器件的制造中,以高的精度来管理例如膜厚等特性是重要的。特别是存储器容量在每个世代都依次增大的半导体存储器件中,随着存储器容量的增大,膜厚等目标规格也依次变化,管理项目的管理精度变得严格。

发明内容

本发明的目的在于提供效率好地以高精度来管理管理项目的电子器件的生产管理装置及生产管理系统。

根据本发明的实施方式,提供电子器件的生产管理装置。本装置实施如下处理:使用第1数据库生成第1模型函数的处理,其中,上述第1数据库将与电子器件中所含的构成要素有关的制造条件值、与包含使用上述制造条件值制造的情况的与上述构成要素的厚度有关的值及与尺寸有关的值之中的至少任一个的特性相互关联起来保存,上述第1模型函数与上述构成要素的特性相对于第1邻近条件值的关系有关,上述第1邻近条件值包括上述制造条件值之中的预先设定的第1处理条件值和与上述第1处理条件值接近的多个处理条件值。本装置还实施如下处理:根据上述第1模型函数来决定用于得到上述构成要素的特性的第1制造条件值。本装置还实施如下处理::使用利用上述决定的上述第1制造条件值实际形成上述电子器件的上述构成要素时的上述第1制造条件值和上述构成要素的上述特性的测定值,计算针对上述特性的测定值的上述第1模型函数的平方预测误差。本装置实施如下处理:在上述计算出的上述平方预测误差大于预先设定的基准值时,不修正上述模型函数而将上述第1制造条件值作为接下来的上述电子器件的第2制造条件值,在上述计算出的上述平方预测误差小于等于上述基准值时,使用追加了上述实际形成时的上述第1制造条件值和上述构成要素的上述特性的上述测定值的上述第1数据库来生成第2模型函数,根据上述第2模型函数来决定用于得到上述构成要素的特性的第2制造条件值。

根据本发明的其他实施方式,提供具备电子器件的生产管理装置和构成要素形成装置的电子器件的生产管理系统。

上述电子器件的生产管理装置实施如下处理:使用第1数据库生成第1模型函数的处理,其中,上述第1数据库将与电子器件中所含的构成要素有关的制造条件值、与包含使用上述制造条件值制造的情况的与上述构成要素的厚度有关的值及与尺寸有关的值之中的至少任一个的特性,相互关联起来保存,第1模型函数与上述构成要素的特性相对于第1邻近条件值的关系有关,上述第1邻近条件值包括上述制造条件值之中的预先设定的第1处理条件值和与上述第1处理条件值接近的多个处理条件值;根据上述第1模型函数来决定用于得到上述构成要素的特性的第1制造条件值的处理;使用利用上述决定的上述第1制造条件值实际形成上述电子器件的上述构成要素时的上述第1制造条件值和上述构成要素的上述特性的测定值,计算针对上述特性的测定值的上述第1模型函数的平方预测误差的处理;及在上述计算出的上述平方预测误差大于预先设定的基准值时,不修正上述模型函数而将上述第1制造条件值作为接下来的上述电子器件的第2制造条件值,在上述计算出的上述平方预测误差小于等于上述基准值时,使用追加了上述实际形成时的上述第1制造条件值和上述构成要素的上述特性的上述测定值的上述第1数据库来生成第2模型函数,根据上述第2模型函数来决定用于得到上述构成要素的特性的第2制造条件值的处理;

上述构成要素形成装置形成上述电子器件中所含的上述构成要素。

根据本发明的另一其他实施方式,提供电子器件的生产管理装置。本装置具备如下单元:

使用第1数据库生成第1模型函数的单元,上述第1数据库将与电子器件中所含的构成要素有关的制造条件值、与包括使用上述制造条件值制造的情况的与上述构成要素的厚度有关的值及与尺寸有关的值之中的至少任一个的特性相互关联起来保存,上述第1模型函数与上述构成要素的特性相对于第1邻近条件值的关系有关,上述第1邻近条件值包括上述制造条件值之中的预先设定的第1处理条件值和与上述第1处理条件值接近的多个处理条件值;

根据上述第1模型函数,决定用于得到上述构成要素的特性的第1制造条件值的单元;

使用利用上述决定的上述第1制造条件值实际形成上述电子器件的上述构成要素时的上述第1制造条件值和上述构成要素的上述特性的测定值,计算针对上述特性的测定值的上述第1模型函数的平方预测误差;及

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310233441.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top