[发明专利]光罩图案分析装置及光罩图案分析方法

说明书

技术领域

本发明关于一种图案分析系统，特别关于一种光罩图案分析系统与光罩图案分析方法，用以增进半导体蚀刻工艺的效能。

背景技术

当光学蚀刻技术进步到90纳米节点以下，最小图案特征的微缩速度将比先进光学蚀刻技术硬件解决方案的进步速度来的快。光学邻近效应修正(Optical Proximity Correction,OPC)是一个加强解析度且被广泛用来控制关键尺寸(critical dimension)的技术方法。使用OPC方法时，光罩图案的形状经刻意变形，以补偿不同间距光罩图案经由绕射所漏失的信息。由OPC方法所得的信息将载入模拟软件，以检查OPC方法正确地产生修正效果。前述检查过程统一称为光学及程序规则检查（Optical and Process Rule Check,ORC），ORC为预测图案形状缺陷以及检查后OPC虚像与所欲图案形状的一重要工具。若无ORC的辅助，仅有OPC单独作业会导致影响制造良率的严重缺陷。

然而，若个别检查虚像的形状，对整片晶片进行ORC是极为费时的作法。ORC可以在进行OPC之前执行，以确定是否有进行OPC的需要；ORC也可以在OPC执行到一半时进行，以确定OPC的执行结果是符合要求；ORC也可以在OPC执行完成后再进行。一旦检查程序完成，检查数据将输出并用于集成电路制造程序中。一般而言，被检查出具有桥接或断点的区域会被另外加以重点标示，并且在后续的工艺中传回OPC，作为光罩图案的修正参考。

为了解决ORC过程耗时的问题，本发明提供一种系统性的检查方法。高效率的ORC步骤对于光罩制作程序的效率相当重要。尤其是未来随着科技发展的微缩尺寸节点以及元件密度的提高，光罩制作程序将面对更严苛的挑战。

发明内容

本发明的一实施例提供一图案分析装置包含一处理器，该处理器用以群组一电路布局中多个多角形而形成多个多角形群；根据该电路布局的一虚像，找出该任一多角形群的潜在缺陷区域；决定各该多角形群的该潜在缺陷区域的代表点；决定各该多角形群中该多个多角形的代表点；以及比较所述多个多角形群的一者中该多个多角形的代表点与该者的该潜在缺陷区域的代表点之间的相对分布关系与所述多个多角形群的另一者中该多个多角形的代表点与该另一者的该潜在缺陷区域的代表点之间的相对分布关系。

本发明的一实施例提供一种分析光罩图案的方法，该方法包含以下步骤:群组一电路布局中多个多角形而形成多个多角形群；根据该电路布局的一虚像，找出任一多角形群的潜在缺陷区域；决定各该多角形群的该潜在缺陷区域的代表点；决定各该多角形群中该多个多角形的代表点；以及比较所述多个多角形群的一者中该多个多角形的代表点与该者的该潜在缺陷区域的代表点之间的相对分布关系与所述多个多角形群的另一者中该多个多角形的代表点与该另一者的该潜在缺陷区域的代表点之间的相对分布关系。前述方法中的该等步骤皆由一电脑系统中的一处理器执行。

上文已相当广泛地概述本发明的技术特征及优点，俾使下文的本发明详细描述得以获得较佳了解。构成本发明的申请专利范围标的其它技术特征及优点将描述于下文。本发明所属技术领域中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本发明相同的目的。本发明所属技术领域中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的申请专利范围所界定的本发明的精神和范围。

附图说明

图1显示包含一处理器以及一存储器的一电脑系统，其中该处理器用以执行光罩图案分析的步骤；

图2为根据本发明一实施例的部分电路布局俯视图，其中五个虚线方格定义出五个多角形群；

图3为图2的第一多角形群的放大图，根据本发明一实施例，其中该多角形群中每一个多角形皆标记有一代表点；

图4以及图5为根据本发明一实施例的方法，由多个代表点决定出卡氏座标系上的一组向量；

图6为根据本发明一实施例的方法，对一矩阵进行90度的旋转操作；

图7为根据本发明一实施例的方法，将一矩阵进行对Y轴的镜射操作；

图8为根据本发明一实施例的方法，将一矩阵进行对X轴的镜射操作；

图9为根据本发明一实施例的一多角形群，以及经由转换后与该多角形群具有相同矩阵的其它多角形群所形成的一群组；

图10为根据本发明一实施例的一群组，该群组包含一多角形群，以及其它多个未能被归类的多角形群；

图11为根据本发明一实施例，由光罩图案分析系统所进行的步骤；以及