[发明专利]一种圆片级封装的引线焊盘引出方法有效
申请号: | 201310235836.5 | 申请日: | 2013-06-16 |
公开(公告)号: | CN103311140A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 耿菲 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人: | 任益 |
地址: | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 圆片级 封装 引线 引出 方法 | ||
1.一种圆片级封装的引线焊盘引出方法,其特征在于:其包括如下步骤:
(1)、在盖板上对应焊盘位置刻蚀浅槽;
(2)、将盖板覆盖键合在带有焊盘的晶圆上,所述盖板上的浅槽面与晶圆连接并且浅槽面与所述晶圆形成空间;
(3)、对成形一体的盖板和晶圆进行交错切割,从而把被覆盖的焊盘暴露,引线连接焊盘,焊盘通过引线引出。
2.根据权利要求1所述一种圆片级封装的引线焊盘引出方法,其特征在于如下步骤:
1)在键合后的晶圆背面粘贴胶膜,从盖板正面进行切割划片,精确控制切割深度至盖板浅槽面完全切开;
2)去掉晶圆背面的胶膜,在盖板正面粘贴胶膜;
3)从晶圆背面进行切割,切割深度贯穿晶圆和盖板。
3.根据权利要求1所述一种圆片级封装的引线焊盘引出方法,其特征在于:采用湿法腐蚀的方式刻蚀加工浅槽。
4.根据权利要求1所述一种圆片级封装的引线焊盘引出方法,其特征在于:采用干法刻蚀技术刻蚀加工浅槽。
5.根据权利要求1所述一种圆片级封装的引线焊盘引出方法,其特征在于:采用利用机械加工的方法,利用划片机或雕刻机,在上盖板上加工深度可控的浅槽。
6.根据权利要求3所述一种圆片级封装的引线焊盘引出方法,其特征在于:所述湿法腐蚀的方式刻蚀加工浅槽,其工艺步骤包括:
(1a)、在玻璃基板上利用蒸发或溅射的方法制备金属薄膜;
(2a)、光刻、腐蚀金属薄膜,从而形成下一步腐蚀玻璃的金属掩膜图形;
(3a)、以图形化的金属薄膜为掩膜,采用玻璃腐蚀溶液对玻璃盖板进行各项同性湿法腐蚀,从而形成浅槽。
7.根据权利要求4所述一种圆片级封装的引线焊盘引出方法,其特征在于:所述干法刻蚀技术刻蚀加工浅槽,其工艺步骤包括:光刻胶为掩膜,利用干法刻蚀设备,制备浅槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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